摘要 BG4该采用最新的96层BiCS4 3D TLC NAND和有四种能力;128GB,256GB,512GB和旗舰1TB硬盘。有两种格式;M 2表面贴装1620单封装(编码KBG40ZP
BG4该采用最新的96层BiCS4 3D TLC NAND和有四种能力;128GB,256GB,512GB和旗舰1TB硬盘。有两种格式;M.2表面贴装1620单封装(编码KBG40ZPZ)和可拆卸M.2 2230模块(编码KBG40ZNS)。这是我们在这里看到的后者,1TB KBG40ZNS1T02旗舰硬盘。
上一代驱动器BG3使用带有PCIe 3 x2接口的控制器,该接口已在BG4中替换为支持PCIe 3 x4的接口。它使用NVMe主机内存缓冲区(HMB)技术而不是DRAM缓存,后者使用一部分主机内存(小于100MB)来支持缓存需求。
1TB硬盘的官方性能数据分别高达2,300MB / s和1.400MB / s,顺序读/写分别具有4K随机性能,读取IOPS高达390,000 IOPS,随机写入高达200,000 IOPS。
物理规格:
可用容量:1TB。
NAND组件:东芝96层BiCS4 3D TLC。
NAND控制器:东芝。
接口:PCIe Gen3 x4 NVMe 1.3。
形状因子:M.2 2230-S3。