尽管我们目前正处于PCIe 4.0革命的风口浪尖，但在2019年，闪存价格已经趋于平稳，甚至有所回升，新技术的推出速度缓慢。研发的步伐仍在跟上，因此，随着我们进入2020年，我们应该开始看到在2019年设计的基础上进行许多有趣的开发。这是我们的SSD年度回顾2019。
3D NAND层和位向上蠕变
2018年闪存价格大幅下跌的原因是64层3D NAND一代对大多数主要制造商都表现良好，导致市场竞争激烈。下降的价格趋势在2019年被证明是不可持续的，并且大多数制造商选择放慢其96层产品的生产步伐，而不是加深供过于求的局面：英特尔，美光，SK海力士。这意味着，今年许多产品发布仍在使用64L NAND，并且直到2020年(或更晚一些移动速度较慢的企业模型)才将达到EOL。
第一个96层SSD于2018年7月推出，但96L一代直到2019年才真正开始认真进行。三星是第一个推出采用新一代3D NAND的零售SSD的公司，但实际上他们只有92个970 EVO Plus中的所有层。在大多数其他方面，它们仍然是行业的领导者，但是在原始层数上，它们显然已经落后了。这主要是由于三星决定不使用字符串堆栈进行3D NAND制造的决定，因此与竞争对手的96L NAND相比，其92L NAND的制造工艺步骤更少。
另一方面，SK Hynix已开始使用其128L 3D NAND采样SSD，并准备在2020年国际消费电子展上宣布其零售型号。从历史上看，他们在层数上一直试图超过其他市场，但更多一种弥补3D NAND密度其他缺点的方法。今年，他们终于开始看到3D NAND用于SSD而非移动存储方面取得了更大的成功，但主要是使用自己的SSD型号，而不是通过与其他SSD供应商的设计胜利。展望未来，英特尔可能会在2020年率先采用144L QLC NAND进行层计数。
随着NAND形势的缓慢发展，每单元四位QLC NAND闪存未能进一步进军SSD市场。对于入门级NVMe驱动器来说，它仍然是一个有吸引力的选择，但是TLC NAND仍然是主流和高端驱动器的默认选择。
但这并没有阻止闪存制造商探索进一步提高密度的方法，从而超越了QLC NAND的要求。制造商已经开始公开谈论他们的5位每单元(PLC)NAND实验，这在技术层面上绝对是可行的，但尚不清楚它是否在经济上可行。QLC NAND的所有缺点都通过在每个单元中增加第五位来放大。在今年的闪存峰会和IEDM上，东芝/ Kioxia提出了将3D NAND存储器物理拆分为两个的想法，为提高密度提供了另一种途径。