导读 7nm制程已达到顶峰。有传言称，英伟达将开始向台积电和三星下订单，以在2020年中期发布其下一代``安培& 39;& 39;显卡。同时，我们已经知道
7nm制程已达到顶峰。有传言称，英伟达将开始向台积电和三星下订单，以在2020年中期发布其下一代``安培''显卡。同时，我们已经知道，台积电正在大力投资5纳米制程，据称苹果已将台积电5纳米产能的三分之二预留给有望为iPhone 12提供动力的A14SoC。
现在，三星已经成功迈出了向3nm制程迈出的第一步，正如本周韩国《韩国经济》杂志报道的那样。根据这份报告，三星的目标是到2030年成为世界第一的半导体制造商。
三星在3nm工艺上的工作基于全能栅极(GAAFET)技术，而不是FinFET。据称，这将使总硅片尺寸减少35%，而功耗却减少了约50%，并且与5nm FinFET工艺相比，功耗相同，性能提高了33%。
我们首先听说三星一年前就在3nm GAAFET工艺上进行工作，当时它说目标是在2021年实现批量生产。当时这被认为是雄心勃勃的，但是如果三星已经成功生产了其首批3nm原型，那么该供应商可能比预期的要近。
GAAFET设计与FinFET设计的不同之处在于，GAAFET设计围绕着在通道的四个侧面周围具有栅极，从而确保了减少的功率泄漏并因此改善了对通道的控制-这是缩小工艺节点时的基本步骤。切换到更高效的晶体管设计，再加上减小的节点尺寸，可以在5nm FinFET工艺上实现每瓦性能的巨大飞跃。