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研究人员创建的非易失性存储器的速度与DRAM一样快

英国兰开斯特大学的研究人员已经成功地创建了一种非易失性闪存,其速度与DRAM一样快,但仅消耗了现代NAND或DRAM存储器写入位所需的能量的1%。数据的。据《电子周刊》报道,该存储器称为UK III-V存储器。

对于在20nm光刻工艺上构建的栅极,所需的功率消耗约为-17焦耳的功率的10倍。UK III-V存储器的晶体管将处于典型的关断状态,对栅极充电将花费约5ns的电量,而耗尽则消耗3ns的电量,这两个都是非常可观的数字。一旦通过控制器将这些数字添加到产品中,这些数字可能会略高一些,但这对于获得效率来说是一个值得权衡的选择。

单晶体管的开发仍处于发展阶段,因此将其转换为成熟的商用产品还有很长的路要走。然而,构建具有如此高的效率和速度以与DRAM竞争的非易失性存储器的成就是相当可观的。“该通道利用了In(Ga)As和GaSb的[III型]波段异常排列,其中InAs的导带低于GaSb的价带,”首席研究人员Manus Hayne教授告诉《电子周刊》。

“这意味着即使在没有掺杂电子的情况下,电子也将从GaSb的整个价带流到InAs通道的导带。以前是这种情况,但是在这里我们使In(Ga)As通道变窄,因此限制将通道状态的能量推至正好在GaSb价带之上,因此除非施加适当的电压,否则它不会被占用且处于常态关闭状态,这将使读数类似于闪光灯,并应提供出色的读数1 -0与我们以前的设备形成鲜明对比,允许它们以完全可寻址的阵列连接。”

拥有与DRAM一样快的非易失性存储器很有趣,因为它可以用于构建PC,这些PC可以在系统完全关闭时维护我们当前在RAM中保留的数据,因此可以从您上次中断的位置立即恢复从全面状态开始。这将消除对睡眠状态的需求,并且还允许系统在空闲时关闭RAM的电源,从而进一步降低功耗。

想到的问题是UK III-V存储器是否能够处理通常反复发生的对DRAM的重写。如果磨损是一个问题,那可能会破坏使用非易失性RAM的计算机的任何梦想。

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