导读该公司声称，这将为更多用于高端PC，移动，企业和数据中心系统的下一代产品的行业领先的EUV工艺节点打开大门。据说三星在DRAM生产中采用了E
该公司声称，这将为更多用于高端PC，移动，企业和数据中心系统的下一代产品的行业领先的EUV工艺节点“打开大门”。据说三星在DRAM生产中采用了EUV制造工艺来克服DRAM扩展的挑战。
DRAM产品与技术执行副总裁Jung-bae Lee表示：“这一重大进步突显了我们将如何通过及时开发高端工艺技术和面向高端存储器市场的下一代存储器产品，继续为全球IT创新做出贡献。在三星电子。
EUV制造减少了多图案中的重复步骤，同时还提高了图案精度，以带来更高的良率，更高的性能和更短的开发时间。三星表示，EUV制造将在其下一代DRAM产品中全面部署，这将从其第四代10纳米级(D1a)或14纳米高级DRAM开始。
三星还有望在2021年开始批量生产基于D1a的DDR5和LPDDR5，这将使12英寸D1x晶圆的生产效率提高一倍。此外，为进一步满足行业对下一代高级DRAM不断增长的需求，三星有望于今年晚些时候在其韩国平泽市的工厂开设第二条半导体生产线。
KitGuru说：由于行业各个领域对下一代芯片的需求不断增加，三星正加快其制造工厂的EUV生产，以在不久的将来加速向DDR5和LPDDR5的过渡。