英国兰开斯特大学的研究人员发明了一种新的“通用存储器”形式,既可以用作存储又可以用作RAM。这项名为UltraRAM的技术在本月的研究论文中进行了详细介绍,旨在改变现有计算机,智能手机和其他设备的工作方式。
两种记忆合而为一
UltraRAM将闪存和DRAM的优点结合在一起。尽管每GB数据的存储技术(例如硬盘驱动器(HDD)或固态驱动器(SSD))存储的数据要比DRAM便宜得多,但它们的速度也要慢得多。RAM的速度要快得多,RAM会在其中保持工作状态,如果断电,数据就会消失,因此,CPU可以比在HDD或SSD上更快地访问数据。
UlraRAM是NVRAM,单位面积的开关能量比DRAM低100倍,但运行速度相近。它的发明人声称,它结合了DRAM存储器和闪存的优点,而没有缺点,因此非常适合成为一种通用的存储技术。
UltraRAM在其生产的头十年左右可能会出现一个主要缺陷-如果达到这一点,那就是每GB的价格。实际上,这是所有新技术(例如NVRAM)都具有的缺点。但是,如果UltraRAM成功地提供了对基于DRAM的模块的改进,那么规模经济允许对主流客户来说合理的价格可能只是时间问题。
UltraRAM如何工作?
UltraRAM是一种化合物半导体电荷存储存储器,它利用共振隧穿的量子力学效应,允许在施加较小电压时将势垒从不透明切换为透明。该过程消耗很少的功率,同时保证了类似于RAM的运行速度。
UltraRAM的非挥发性是由于砷化铟和锑化铝的能带偏移造成的,它们提供了大的能垒(2.1eV),可防止电子逃逸。
谐振隧道势垒从不透明性快速转变为透明性,有助于实现具有高位密度的高度紧凑的体系结构。换句话说,我们可能能够看到在多GB芯片中实现的技术,而不是在多MB芯片中,这在目前具有RAM级速度的竞争通用内存技术中几乎是极限。