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英特尔构建1000万个QLC 3D NAND固态驱动器

导读 英特尔存储与存储部门根据在中国大连制造的QLC NAND芯片生产了数量为1000万个的QLC 3D NAND固态硬盘(SSD)。该产品于2018年底开始生产,

英特尔存储与存储部门根据在中国大连制造的QLC NAND芯片生产了数量为1000万个的QLC 3D NAND固态硬盘(SSD)。

该产品于2018年底开始生产,这一里程碑将QLC(四级单元存储器)确立为大容量驱动器的主流技术。

英特尔客户SSD战略规划和产品营销总监Dave Lundell表示:“许多公司都在谈论QLC技术,但英特尔已经大规模交付了它。”“我们已经看到了对独立QLC SSD(英特尔SSD 660p)具有成本效益的容量以及我们的Intel Optane Technology + QLC解决方案(Intel Optane Memory H10)的性能的强烈需求。”

以下是与成就相关的一些事实:

Intel QLC 3D NAND用于Intel SSD 660p,Intel SSD 665p和Intel Optane Memory H10存储解决方案。

英特尔QLC驱动器每个单元具有4位,并以64层和96层NAND配置存储数据。

过去十年来,英特尔一直在开发这项技术。在2016年,英特尔工程师将业已证明的浮栅(FG)技术的方向更改为垂直,并将其包裹在栅的全方位结构中。最终的3D三单元级(TLC)技术可以存储384 Gb /管芯。在2018年,3D QLC闪存成为现实,具有64个层,每个单元具有4位,能够存储1,024 Gb /管芯。在2019年,英特尔迁移到96层,从而降低了总体面密度。

QLC现在是英特尔总体存储产品组合的一部分,其中包括客户端和数据中心产品

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