导读三星今天说，它已经开发出业界首个12层3D-TSV(直通硅通孔)芯片封装技术，称其为大规模生产高性能芯片的最具挑战性的封装技术之一。这就是它
三星今天说，它已经开发出业界首个12层3D-TSV(直通硅通孔)芯片封装技术，称其为“大规模生产高性能芯片的最具挑战性的封装技术之一”。这就是它的用途，它将使三星早日大量生产24GB高带宽内存(HBM)。
使这种芯片封装技术如此具有挑战性的原因是，它需要精确的精度，才能以微小的三维配置垂直连接几个DRAM芯片。这些配置由60,000个TSV孔组成，每个孔仅是单根头发的宽度的二十分之一。
封装(720㎛)的厚度与目前的8层高带宽存储器2(HBM2)产品相同，这是组件设计的重大进步。这将帮助客户发布下一代大容量产品。具有更高的性能，而无需更改其系统配置设计。”三星表示。
三星还吹捧其3D-TSV封装技术，因为随着摩尔定律的扩展“达到极限”，至关重要的是继续推动极限。
最终将在哪里发挥作用还有待观察。高带宽内存在消费者领域受到了不冷不热的欢迎-AMD已将其与某些GPU(例如Radeon VII)一起使用，但是在大多数情况下，物有所值的吸引力并不大。同时，AMD最新一代的Navi GPU使用价格便宜的GDDR6内存。
尽管如此，这种发展仍将导致更高的容量，这可能会在数据中心和专业显卡产品中引起人们的兴趣。