英特尔简要介绍了支持FinFET工艺的一些技术

在2月份的视频记录了芯片从概念到客户的整个旅程之后，英特尔发布了另一段视频，简要介绍了其制造过程。该视频在本月初发布，非常值得观看，特别是考虑到英特尔在10nm上存在很多麻烦。

让一堆沙子变得大脑的微妙技巧很复杂。正如您将在视频中看到的那样，芯片从一种工具转移到另一种工具时，沿着英特尔的自动生产线行进了“数百英里”。处理器(或晶圆)经过1000多个步骤组装并形成晶体管，然后才进行芯片封装。

英特尔简要介绍了支持FinFET工艺的一些技术，例如“前栅极”和“高K金属栅极”的形成。还有一节提到了英特尔的COAG(有源门上接触)技术，有传言说这是导致英特尔出现10纳米成品率问题的一个重要因素。然后，视频移至添加了数十条互连导线以完成电路的部分。大大简化了事情，电阻随晶体管尺寸的减小而增加，而按比例缩放导线的尺寸会带来其他问题，例如电迁移问题。为了解决这个问题，英特尔从铜线转移到了用于互连的钴。

再次，这是谣言对英特尔的10nm工艺存在问题的另一步。

英特尔最近概述了在一段时间内在工艺领导力方面将如何落后于其竞争对手(主要是台积电)的观点。英特尔要等到2021年底才推出7nm工艺(除非有任何问题)，才能与TSMC达到工艺平价。英特尔预计直到5nm才会再次获得工艺领导地位，据任何人所知，最早将在2023年出现。