三星开发出业界首创的12层3D-TSV DRAM封装技术

三星最近宣布，他们已开发出世界上第一个12层3D-TSV（直通硅通孔）技术DRAM模块，最大容量为24GB，使用该技术的首批产品之一将是三星自己的HBM2 KGSD。

三星新的12层3D-TSV工艺具有通过60,000个TSV孔互连的12个DRAM芯片，这就是为什么该技术被认为是大规模生产最具挑战性的封装之一，因为它需要精确的精度。封装的厚度保持在720微米，这意味着DRAM层越来越薄，而高端产品的产量仍然可以接受。

Hong-Joo Baek表示：“随着各种新时代的应用(例如人工智能(AI)和高功率计算(HPC))，确保超高性能存储器的所有复杂性的封装技术变得越来越重要。”三星电子TSP(测试与系统封装)执行副总裁。

通过将层数从八层增加到十二层，三星很快将能够批量生产24 GB高带宽内存，这将是当前8 GB高带宽内存的三倍。这意味着三星将为市场上的数据密集型应用提供最高的DRAM性能。

此外，三星最新的3D封装技术比当前的引线键合技术具有更短的芯片间数据传输时间，这将显着提高速度并降低功耗，从而提高效率。