预计NAND闪存价格将在2020年攀升。从制造到96层3D NAND的过渡不会随需求的增长而迅速增加位产量。这将是NAND供过于求的一个重大变化，而NAND供过于求会导致2018年和2019年的价格暴跌。
SSD控制器供应商Phison押注，价格上涨最终将推动消费类SSD市场进入每单元4位QLC NAND闪存，到目前为止，在零售SSD市场中仅取得了有限的成功，并且几乎没有PC OEM厂商采用。在所有细分市场中，每单元3位TLC NAND的SSD的价格溢价很小或根本不存在，因此坚持使用TLC NAND的性能和耐用性优势是值得的。那些日子可能即将结束。Phison相当合理地预计，当NAND闪存供应受到限制时，制造的大部分NAND将被高薪企业SSD客户抢占，或多或少迫使消费者SSD市场开始转向使用QLC作为产品。主流选择。
为了为这一转变做准备，Phison正在确保其完整的控制器产品阵容可与QLC NAND配合使用。这意味着需要调整控制器固件，以充分利用TLC NAND的较低性能。特别是对于OEM市场，他们还必须更新其纠错功能不能满足QLC较低耐用性的5年保修的旧控制器。
与我们在闪存峰会之后的报道相比，Phison的硬件路线图没有发生太大变化。这些控制器的销售方式正在发生变化。当与QLC NAND配对时，Phison采取了非同寻常的步骤来发布其大多数SSD控制器的性能规格，而不是坚持使用基于TLC的数字来更好地展示其控制器。不幸的是，我们仍然获得的数据主要是基于在高队列深度下进行的测试，并且持续时间足够短，以至于SLC缓存主要是要测量的内容。
与QLC NAND配合使用时，Phison的高端NVMe控制器将使用全范围动态SLC缓存大小，这与我们在最近的Silicon Motion控制器中看到的类似，但与现有的基于TLC的Phison NVMe驱动器有很大不同表现为固定大小的SLC小型缓存。最大化SLC缓存大小可以减少普通消费者使用缓存时耗尽缓存的几率，但是这样做的代价是在缓存填满时会遭受更大的性能损失：需要将更多的SLC数据压缩到TLC / QLC中，在后台进行压缩时，同时继续处理主机IO命令时，使用的免费TLC / QLC较少。在使用QLC NAND时，这种权衡是最有意义的，因为无论SLC缓存有多大或多，一旦耗尽SLC缓存都会非常缓慢。