上周，英特尔存储与存储部门根据在中国大连制造的QLC NAND芯片生产了数量为1000万个的QLC 3D NAND固态硬盘(SSD)。生产于2018年底开始，这一里程碑将QLC(四级单元存储)确立为大容量驱动器的主流技术。
具有出色性能的高性价比SSD-SSD 660p和Optane Memory H10
英特尔客户SSD战略规划和产品营销总监Dave Lundell表示：“许多公司都在谈论QLC技术，但英特尔已经大规模交付了它。”“我们已经看到了对独立QLC SSD(英特尔SSD 660p)具有成本效益的容量以及我们的IntelOptane Technology + QLC解决方案(Intel Optane Memory H10)的性能的强烈需求。”
以下是与成就相关的一些事实：
Intel QLC 3D NAND用于Intel SSD 660p，Intel®SSD 665p和Intel Optane Memory H10存储解决方案。
英特尔QLC驱动器每个单元具有4位，并以64层和96层NAND配置存储数据。
过去十年来，英特尔一直在开发这项技术。在2016年，英特尔工程师将业已证明的浮栅(FG)技术的方向更改为垂直，并将其包装成全能门结构。最终的3D三单元级(TLC)技术可以存储384 Gb /管芯。在2018年，3D QLC闪存成为现实，它具有64个层，每个单元具有4位，能够存储1,024 Gb /管芯。在2019年，英特尔迁移到96层，从而降低了总体面密度。
QLC现在是英特尔整体存储产品组合的一部分，该产品组合包括客户端和数据中心产品。
该地标的媒体报道包括内森·基尔希(Nathan Kirsch)在《合法评论》中的一篇报道：“这真是一个了不起的壮举，它只是表明QLC自投放市场以来做得还不错。”StorageReview的YouTube播客，编辑布赖恩·比勒(Brian Beeler)表示：“ [英特尔]在QLC的成功方面具有一定的动力……”