导读 智能手机开始运行相当疯狂的内存，在某些地方高达 16GB，但对于 PC、服务器和 HPC 而言，它仍然没有超过 RAM。这些计算机中的内存以三
智能手机开始运行相当疯狂的内存，在某些地方高达 16GB，但对于 PC、服务器和 HPC 而言，它仍然没有超过 RAM。这些计算机中的内存以三位数表示，但主要受模块中可容纳多少 RAM 芯片的限制。如果您可以在一根内存条中塞入更多 RAM，那么相同数量的插槽中就可以拥有更多内存，而三星新的 512GB DDR5 DRAM 模块无疑不仅在容量或速度上，而且在所使用的技术上都打破了障碍。
三星的新模块不仅是第一个基于新 DDR5 规范的模块，它还声称是第一个使用 High-K 金属栅极或 HKMG 工艺制造的高容量模块。随着 DRAM 组件越来越小，本应防止电流泄漏的绝缘层也越来越小。三星找到的解决方案是用新的金属和材料取代通常的硅基绝缘体，这正是 HKMG 所做的。
改用 HKMG 和降低漏电流对 512GB DDR5 内存也有其他好处。三星能够将功耗降低 13%，同时还将性能提高到 7,200 MB/s，是 DDR4 的两倍。这些与专为节能数据中心设计的 DRAM 所追求的特性完全相同。
三星对 HKMG 工艺并不陌生，早在 2018 年就将其用于显卡的 GDDR6 内存，这是业界的又一首创。除了已经用于许多 DRAM 产品的硅通孔 (TSV) 技术外，三星还声称它是市场上唯一能够实现这一壮举的技术。
也就是说，三星基于 HKMG 的 512GB DDR5 内存仍处于验证阶段。然而，即使在它通过之后，也不要指望消费者可以使用它，因为该公司的目标客户是人工智能和机器学习、百亿亿级计算和数据中心行业。