台积电今天宣布其N7 +工艺将大量推向市场，该公司已经吸引了包括AMD在内的众多客户，AMD公开表示将在其未来的基于Zen 3的芯片中使用新的7nm +工艺。
台积电还声称N7 +是业界首个商业化的EUV加工工艺，这不只是台积电的第一个使用期待已久的极紫外(EUV)光刻技术的工艺。该公司没有明确说明将使用新芯片的产品。
这家台湾公司声称N7 +是第一个基于EUV的工艺，它将产品推向市场，并为多个客户提供了生产能力。有了这一主张，台积电将击败三星，一年前宣布已开始生产7nm。华为和AMD公开表示将使用台积电的技术，但AMD的Zen 3芯片定于2020年下半年发布。
台积电声称其N7 +生产是有史以来最快的之一，这可能意味着在良率学习方面台积电接着说N7 +已经与苹果公司A12芯片首次亮相的2018年7nm工艺的良率相提并论。N7 +于5月投入量产，随后将到2020年底，N6的性能有所改善，密度与N7 +相似，但与N7的设计规则完全兼容。
N7 +源自台积电(TSMC)的常规N7(似乎存在一些供应问题)，并且基本上是该公司的第一个启用EUV的工艺技术，在有限的关键层使用昂贵的ASML步进器。N7 +为客户提供了15-20%的密度提高，并降低了功耗。
EUV是期待已久的下一代光刻解决方案，用于在芯片上构图特征。传统的193nm DUV一旦在32nm节点甚至更早的路线图上提出，就已经通过浸没式光刻技术得到了扩展，该技术在透镜和水之间使用水，并采用多种构图技术。与沉浸式光刻技术的76nm极限相比，EUV的13.5nm波长允许打印特征相距26nm。
台积电表示，经过多年的发展，这些工具在可用性(正常运行时间)和吞吐量方面已经达到生产成熟。台积电没有透露供货情况，但生产目标接近或高于90%。台积电的功率输出超过250W。