什么是DDR？DDR2和DDR3有什么区别？
双倍数据速率双倍速率同步动态随机存取存储器。严格来说，DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称之为DDR，其中SDRAM是同步动态随机存取存储器的简称，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是双倍数据速率SDRAM的缩写，意思是双倍速率同步动态随机存取存储器。DDR内存是在SDRAM内存的基础上发展起来的，仍然采用SDRAM生产系统。因此，对于内存厂商来说，只要稍微改进一下制造普通SDRAM的设备，就可以实现DDR内存的生产，可以有效降低成本。
插槽是不同的。DDR3比DDR2频率更高、速度更快、容量更大、性能更高。
相比DDR2内存，DDR3内存其实只是规格上的提升，并没有真正的新架构进行全面替代。DDR3和DDR2的触针数量都是240针。然而，缝隙的位置是不同的。大容量内存很好支持Dr3，但大容量内存的分水岭是4GB，这是32位操作系统的上限(不考虑PAE等内存镜像模式，因为这些32位扩展模式只是过渡模式，会降低效率，不会成为零售市场的主流技术)。当市场需求超过4GB时，64位CPU和操作系统是唯一的解决方案，这是DDR3内存的普及期。
1.DDR2和DDR3内存之间的特征差异：
1.逻辑库的数量。
为了满足未来大容量芯片的需求，DDR2 SDRAM有4库和8库设计。而且DDR3可能会从2Gb容量开始，所以一开始有8个逻辑库，未来有16个逻辑库。
2.包裹。
由于DDR3有一些新功能，引脚将会增加。8位芯片封装在78球的FBGA，16位芯片封装在96球的FBGA，DDR2封装在60/68/84球的FBGA。此外，DDR3必须采用绿色包装，不得含有任何有害物质。
3.突发长度。
因为DDR3的预取是88位，所以突发长度(BL)也固定为8，BL=4也常用于DDR2和早期的DDR体系结构系统。为此，DDR3增加了4位突发斩波模式，即BL=4的读操作和BL=4的写操作用于合成BL=8的数据突发传输。
4.寻址时序。
正如DDR2从DDR转型后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期与DDR2相比也会增加。一般来说，DDR2的CL范围在2到5之间，而DDR3的范围在5到11之间，并且附加延迟(al)的设计也发生了变化。在DDR2，a1的范围是0到4，而在DDR3中，a1有三个选项，分别是0、CL-1和CL-2。此外，DDR3还增加了一个新的时序参数——写延迟(CWD)，这将取决于具体的工作频率。
二、DDR3与DDR2(桌面无缓冲DIMM)相比的优势：
1.速度更快：预取缓冲器的宽度从4bit增加到8bit，相同频率下内核的数据传输容量将是DDR2的两倍。
2.更省电：DDR3模块的电压从DDR2的1.8V降低到1.5V，同频率下比DDR2更省电。配合SRT(自刷新温度)功能，增加内部温度传感器，可根据温度动态控制刷新率(RASR(部分阵列自刷新功能))，达到省电的目的。
3.更大容量：银行多，按照JEDEC标准，DDR2单位元应该能生产4Gb(也就是单个模块能达到8GB)。但是按照目前很多DRAM厂商的计划，DDR2生产可能会跳过这个4GB单位元的容量，也就是说单个DDR2 DRAM模块的最大容量可能到那个时候只能达到4Gb。虽然DDR3模块的容量会从1GB跃升，但目前规划单个模块到16GB是没有问题的(注：这是指专门面向零售组装市场的无缓冲DIMM，FB和Registered for server除外)。