三星准备量产Flashbolt HBM2E DRAM
当高带宽内存(HBM)于2015年推出时，人们对其寄予厚望，但仍无法与当时流行的图形卡GDDR5内存竞争。随着HBM2的到来，这种情况迅速改变。现在
三星推出Flashbolt第三代HBM2E 16 Gb内存引脚速度高达3.2 Gbps
三星电子已宣布其第三代高带宽存储器2E(HBM2E)Flashbolt在市场上推出。新型16 GB(GB)HBM2E特别适合最大化高性能计算(HPC)系统，并帮助系
当高带宽内存(HBM)于2015年推出时，人们对其寄予厚望，但仍无法与当时流行的图形卡GDDR5内存竞争。随着HBM2的到来，这种情况迅速改变。现在
三星电子已宣布其第三代高带宽存储器2E(HBM2E)Flashbolt在市场上推出。新型16 GB(GB)HBM2E特别适合最大化高性能计算(HPC)系统，并帮助系