Rambus推出新的HBM2E接口解决方案

Rambus推出新的HBM2E接口解决方案

Rambus宣布了其高速存储接口解决方案系列的新成员,其中包括新的High Bandwidth Memory 2E控制器和物理层IP,以紧凑,节能的封装提供了

Rambus的HBM2E存储器控制器和PHY为芯片制造商提供经济高效的设计

Rambus的HBM2E存储器控制器和PHY为芯片制造商提供经济高效的设计

Rambus的控制器和PHY设计于上周宣布,其规格符合JEDEC HBM2E标准。该控制器最多支持12层3D堆叠DRAM存储器。HBM2E中的每个级别的DRAM最多可

Rambus引入了全面的PCIe 5.0接口

Rambus引入了全面的PCIe 5.0接口

自从在AMD的X570平台上引入PCI 4 0之后,制造商一直在大力推动存储设备支持市场上的新规范,以便消费者利用其提供的更高带宽和传输速度。

Rambus达到业界最高的18 Gbps GDDR6性能

Rambus达到业界最高的18 Gbps GDDR6性能

Rambus Inc 表示以每秒18 GB的速度实现行业领先的GDDR6性能,这对于GDDR内存而言是一个了不起的改进,其性能高达DDR4内存的五倍。Hermant

Rambus宣布业界性能领先的GDDR6内存

Rambus宣布业界性能领先的GDDR6内存

Rambus宣布其GDDR6 PHY内存已达到18 Gbps的业界最高性能。该公司还在公告中表示,其PHY GDDR6内存最适合需要更高带宽内存的人工智能,机