导读事实证明，结合DRAM内存和存储属性的IntelOptane混合解决方案非常有效。不过，英特尔并未在其所有平台上都提供Optane支持，如果您碰巧是AMD
事实证明，结合DRAM内存和存储属性的IntelOptane混合解决方案非常有效。不过，英特尔并未在其所有平台上都提供Optane支持，如果您碰巧是AMD粉丝，则您需要再做一些努力，才能从Optane提供的产品中受益。为了简化兼容性部分，Kioxia(东芝新的存储器部门)和Western Digital现在正在介入一种名为XL-FLASH的替代产品，该替代产品旨在比DRAM便宜，同时比SSD存储3D NAND闪存更快。
新型XL-FLASH存储器是96层3D NAND的新品种被称为“存储类内存”(SCM)。它从根本上提高了非易失性3D NAND存储器的等待时间，使其更接近易失性DRAM存储器通常具有的等待时间。Kioxia声称，新的XL-FLASH SCM存储器的访问时间仅为3D NAND闪存固有访问时间的十分之一，这意味着现在的等待时间已降至75微秒(写)和4微秒(读)。除了增加的吞吐量外，XL-Flash还可以实现更高的IOPS，尤其是对较小文件的随机读取/写入操作。
期望看到将新的XL-Flash存储器集成到超高速SSD中，因此目前很可能是企业和数据中心PCIe解决方案，但是随着技术的成熟，SCM芯片可能会成为价格更实惠的PCIe NVMe SSD的途径。。