导读 三星本周宣布，它将开始批量生产专门用于旗舰智能手机的新型eUFS 3 1存储。512 GB eUFS 3 1的写入速度性能是以前eUFS 3 0移动存储器的
三星本周宣布，它将开始批量生产专门用于旗舰智能手机的新型eUFS 3.1存储。512 GB eUFS 3.1的写入速度性能是以前eUFS 3.0移动存储器的三倍，从而为即将到来的旗舰移动设备带来了可喜的性能提升。
三星突破了智能手机存储的1 GB / s性能壁垒，连续写入速度超过1,200 MB / s，实现了eUFS 3.1的这一新性能水平，三星eUFS 3.1的速度是基于PC SATA的两倍写入速度是UHS-I microSD卡的十倍以上。
凭借这一新性能，即将到来的移动设备的消费者在其智能手机设备上存储大文件(例如8K视频或数百张照片)时，将能够享受现代超薄笔记本电脑的传输速率。由于有了新的性能基准，在新旧设备之间传输内容所花费的时间也将大大减少。
建议配备新eUFS 3.1存储的设备大约需要90秒才能传输100 GB的数据，基于eUFS 3.0存储的先前设备可能需要4分钟以上才能完成相同数量数据的传输。与eUFS 3.0相比，eUFS 3.1存储的随机读取/写入性能预计将提高高达60%，读取时的IOPS为100,000 IOPS，写入时的IOPS为70,000 IOPS。
除了512 GB eUFS 3.1，三星还将在定于今年晚些时候推出的旗舰智能手机中提供256 GB和128 GB容量。三星还于本月在中国西安生产线开始生产第五代V-NAND，并计划不久将韩国平泽线的V-NAND量产从第五代V-NAND转移到第六代。满足行业需求。
KitGuru说：三星在eUFS 3.1内存中增加的读写速度应该会在今年晚些时候推出的下一代智能手机中显着提高性能。你们如何看待三星新型eUFS 3.1的性能?