导读EUV是一种光刻形式，通常保留给处理器和其他相关芯片组。它具有创建高端SoC中7纳米(nm)架构所必需的高精度，高度集中的图案生成能力，更不
EUV是一种光刻形式，通常保留给处理器和其他相关芯片组。它具有创建高端SoC中7纳米(nm)架构所必需的高精度，高度集中的图案生成能力，更不用说它们甚至更小的下一代。但是，出于类似的原因，三星最近也已将此工艺应用于DRAM芯片的生产。
实际上，OEM声称在该领域使用EUV可以提高性能，提高产量并缩短开发周期。换句话说，与较旧的方法相比，这将使该公司能够在精细的时间范围内增加高端存储器的容量。
这项新技术以面向IT行业购买者的10nm级D1xDDR4内存的形式得以实现。它的成功开发将紧随其后的是第四代10nm级D1a三星DRAM的批量生产。
该内存为DDR5或LPDDR5，并将在不久的将来与该公司的高端14nm级存储芯片一起使用EUV工艺制造。三星目前预计，基于D1a的芯片将于2021年开始批量生产。