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三星晶圆厂的1,160亿美元计划成为芯片领导者

导读三星计划在未来十年内为其逻辑三星代工业务投资1,160亿美元,并创造15,000个工作岗位,以期成为全球最大的芯片制造商。超过一半的投资将用

三星计划在未来十年内为其逻辑三星代工业务投资1,160亿美元,并创造15,000个工作岗位,以期成为全球最大的芯片制造商。超过一半的投资将用于研发。

看起来摩尔定律还远远没有结束,因为逻辑制造领域将在未来十年变得比以往任何时候都更具竞争力(尽管只有三个参与者)。英特尔已经披露了一份进取的2029年工艺路线图,而三星在4月宣布将在2030年之前向其逻辑芯片业务投资1160亿美元,其明确目标是成为世界领先者。三星目前在由台积电控制的代工市场中拥有18%的市场份额(并且还生产自己使用的芯片,例如Exynos移动SoC)。

1,160亿美元的投资将在640亿美元的研发投入之间分配,其余690亿美元将用于投资制造设施。三星还计划在研发和制造领域创造15,000个工作岗位。正如彭博社引述的那样,三星代工业务执行副总裁Yoon Jong Shik在最近的Seoel论坛上解释说:“一个新的市场正在打开。缺乏硅设计经验的亚马逊,谷歌和阿里巴巴等公司正在寻求以自己的概念创意制造芯片,以提高服务水平。我认为这将为我们的非内存芯片业务带来重大突破。”

据称,三星正通过游览城市,举办代工论坛和谈判协议来努力争取客户。该公司最近宣布,它将以其16nm工艺及其I-Cube中介层封装技术生产百度的160 TOPS昆仑AI芯片。三星还将为高通公司生产5G Snapdragon芯片组,据报道已经赢得了Nvidia 7nm GPU产品的一部分。三星在2014年将A8的生产业务丢给了台积电(TSMC)。

由于这是一个12年计划,因此每年的平均支出将等于96亿美元。为了说明这一点,英特尔计划今年在资本支出上花费160亿美元,而台积电(TSMC)指导的支出超过140亿美元,并且每年在研发上的支出也超过30亿美元。英特尔并未透露其130亿美元研发预算的组成部分。

三星未来十年路线图的一小部分已经众所周知。三星和台积电都计划在2020年开始制造其5nm节点,并将广泛使用13.5nm EUV技术,而不是采用多种图案化技术的193nm浸没式光刻技术。为此,三星今年在华城完成了一条耗资60亿美元的EUV生产线,该生产线将于2月开始生产。(彭博社甚至报道它是一家耗资170亿美元的工厂。)一种ASML EUV工具的成本为1.72亿美元。

同时,英特尔今年宣布了计划在未来四年内在以色列建立一个新的110亿美元的晶圆厂,而台积电则开始建设其195亿美元的3nm晶圆厂。

除了5nm之外,三星还计划推出自己的3nm全能门纳米片。在这种设计中,晶体管的栅极完全包裹在源极和漏极之间的沟道周围。这将使其成为第一家超越领先工艺目前使用的三栅FinFET的制造商。这是否将使三星在晶体管性能,功率和面积三重优势方面占据优势,并赢得客户,将有待观察。

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