一家相对模糊的台湾出版物独家报道，英特尔计划在DG1 GPU之后立即放弃自己的10nm工艺，转而使用台积电的下一代部件制造工艺。跳跃将在2021年发生，并在开始时采用台积电的6nm工艺。曾经有传言称，向GPU过渡到TSMC的过程与以前一样，我们尚未对此信息进行独立验证-因此，该帖子已被标记为谣言，并带有一丝盐味。
报告：英特尔利用台积电的7纳米以下工艺生产高端Xe GPU旗舰产品
英特尔今年将与DG1一起进行首次GPU试验，这是基于10nm工艺的图形卡。DG1的功耗和性能水平比NVIDIA MX 250高出约25W，从本质上讲，它是离散形式的TGL iGPU。拥有96个EU的国家很明显，Intel只是想弄湿自己的脚并学习绳索，然后再转向更雄心勃勃的Xe HP。然而，有趣的是，英特尔的首席财务官此前曾承认10nm的良率并不高，实际上其利润率将低于其较早的22nm工艺，因此我看不到英特尔为大规模生产主流GPU而选择节点。
英特尔希望将自己开发的独立显示GPU移交给台积电的6纳米制造工艺，并且还将在2022年之前采用台积电的3纳米制造工艺。英特尔首席财务官乔治·戴维斯(George Davis)此前曾公开表示，由于产能不足在14纳米制程中，英特尔将在2020年增加更多的能力来填补空白。至于10纳米制程的一部分，预计不会像22纳米或14纳米制程那样大规模生产。面对未来越来越多的新产品，必须解决先进工艺的问题。
根据该报告，相关消息人士指出，英特尔将在2021年开始使用台积电的6nm EUV工艺生产自己的研究GPU和芯片组。之所以将台积电用于生产GPU，主要是因为GPU的生产比CPU和台积电在GPU生产方面也很有经验。根据英特尔官方数据，英特尔自主开发的Xe架构DG1独立显示GPU使用其自己的10nm制程技术，并将于2020年底上市。它有96套执行单元，总共768个内核，频率为1GHz，加速频率为1.5GHz和1MB。二级缓冲存储器和3GB显示存储器，最大功耗为25W。在外部性能方面，仅基于Xe的DG1将在Nvidia GeForce GTX 1050和GeForce GTX 1650之间。
尽管DG1的定位并不高端，但将来会出现新一代的DG2独立显示GPU产品。估计DG2将成为高性能GPU。根据先前的市场消息，英特尔DG2将使用台积电的7nm制程技术，但根据市场消息，它最终可能会采用台积电的6nm EUV制程。然而，英特尔预计将在2021年量产其7nm工艺技术，并且官员已经宣布，用于数据中心的Ponte Vecchio加速卡将使用其自己的7nm工艺。当时，英特尔和台积电是否真的可以联手为英特尔独立的显示GPU生产记录新的一页，这需要进一步发展。资料来源：台湾科技新闻
英特尔的10nm问题将GPU架构师置于一个非常独特的难题中。由于该公司计划转向EUV(并重置难度曲线)，因此7nm可能会轻而易举，而就大批量生产而言，很难挤压10nm。考虑到台积电在制造GPU方面已经过时，并且(相对)比CPU更容易制造，看来该公司实际上有完全合理的理由放弃英特尔TMG来使用台积电。
另外，请记住，对CPU的需求是不断增长的，并且制造以100%的速度运行，并且仍远远不能超过需求，因此，当您可以批量生产主流GPU时，这是没有道理的将其卸载到台积电。话虽如此，该公司已经确认，Ponte Vecchio将采用7纳米工艺制造，因此，要么英特尔要提出一种非常灵活的安排，即同时利用TMG和TSMC，要么这则谣言都是虚假的。