导读 随着盛大的开幕式，美光公司上周在新加坡开设了最新的3D NAND工厂。这是美光在新加坡拥有的第三家工厂，除了Fab 10N和Fab 10X之外，它还
随着盛大的开幕式，美光公司上周在新加坡开设了最新的3D NAND工厂。这是美光在新加坡拥有的第三家工厂，除了Fab 10N和Fab 10X之外，它还生产大部分闪存输出。扩展将支持即将推出的96层3D NAND及更高版本。
美光公司预计新扩张不会增加任何新的晶圆产能，就每月晶圆的开工而言。要理解这一点，值得认识到3D NAND路线图已经彻底改变了传统的半导体缩放概念。
存储器(闪存和DRAM)和逻辑(晶体管)中的传统缩放包括减小特征尺寸，从而增加密度并最终增加芯片的容量。另一方面，3D NAND缩放开始于更宽松的过程节点，但在z维度上扩展。最初的24层和32层，目前最先进的3D NAND技术正在向96层及更高层发展。
但是，增加层数不是免费午餐。虽然弛豫节点降低了NAND中光刻的重要性，但是诸如蚀刻的其他步骤变得更加重要并且随着层数的增加而增加晶片的循环时间。由于一些公司选择将制造过程分成多个堆叠(例如，每个堆叠32层)，这进一步增加了循环时间。
因此，为了在转向更先进的工艺之后保持晶圆输出，必须增加制造设备机器的数量，这显然需要额外的洁净室空间。美光科技表示，新的扩展使公司能够转向更先进的节点，例如即将推出的96层工艺，并预计今年下半年将首次投产。没有提供有关扩展的财务指标。
通过IM Flash Technologies(IMFT)合作的美光和英特尔正处于分裂阶段。两家公司在2018年初宣布，他们将在第三代(96L)之后停止共同开发3D NAND。这些公司的3D NAND目前基于在2D NAND中常见的相同浮栅技术，东芝和三星使用另一种选择，称为电荷捕获。美光公司已经披露，它将转向第四代充电陷阱。