导读 GlobalFoundries(GF)周二宣布推出其12 Leading Performance(12LP)平台的新增功能，称为12LP +。该公司声称它将在性能上显着提高，而功率
GlobalFoundries(GF)周二宣布推出其12 Leading Performance(12LP)平台的新增功能，称为12LP +。该公司声称它将在性能上显着提高，而功率和面积却减少。它还包含一个低压SRAM位单元。
GlobalFoundries(GF)希望在7nm的功能和性能上获得很多好处，但以12LP平台的成本更低。它还使逻辑晶体管密度提高了15%。
GF表示，更具体地说，12LP + FinFET工艺与基础12LP平台相比，性能提高了20%，功耗降低了40%(其本身在16 / 14nm上提高了10%，在逻辑区域缩放方面提高了15%) 。这与台积电在将其7纳米制程与16纳米进行比较时声称的改进量相同(尽管台积电在达到7纳米之前也有10纳米)。
GF在一份声明中将其新工艺与7nm进行了比较，并提到了更低的成本：“作为一种先进的12nm技术，我们的12LP +解决方案已经为客户提供了他们希望从7nm工艺中获得的大部分性能和功耗优势，但是他们的NRE(非经常性工程)成本平均只有其一半，可节省很多。”
另一个新功能是0.5V SRAM单元，GF声称它具有高速和低功耗特性，可用于存储器和处理器之间的数据改组，例如在人工智能(AI)应用中。对于AI应用，GF提供了设计参考包和设计技术联合开发(DTCO)服务。还有一个用于2.5D封装的新型插入器，以促进高带宽存储(HBM)。最后，该公司还表示，Arm已经为AI应用开发了Artisan物理IP和POP IP，它们也将可用于12LP。
GlobalFoundries的目标是AI和云芯片，并表示已经拥有多个客户。预计将在2020年下半年推出磁带，并计划在2021年实现量产。