导读 与 LG 不同，三星并不总是会给出提示或预先宣布产品和功能。然而，它所做的是宣布通常最终出现在其下一款旗舰手机上的组件。在这种情况下
与 LG 不同，三星并不总是会给出提示或预先宣布产品和功能。然而，它所做的是宣布通常最终出现在其下一款旗舰手机上的组件。在这种情况下，这家韩国制造商宣布量产容量达到1TB的嵌入式通用闪存芯片或eUFS。虽然这本身可能已经是一项重要成就，但由于围绕即将推出的 Galaxy S10+ 的传言，它变得更加有趣。
智能手机从仅提供平均 16 到 32 GB 的 eMMC 存储空间到现在的 1 TB 真的走了很长一段路。特别是一种更快的 eUFS 类型的闪存。虽然这并不完全出人意料，因为我们现在已经拥有 512 GB 的手机，但问题在于谁将首先到达那里以及如何到达那里。
三星的半导体业务是其最赚钱的业务之一，一直在玩堆叠 V-NAND 闪存以获得更大容量。在这种情况下，三星堆叠了 16 层 512 Gigabit (Gb) V-NAND 闪存。凭借 1 TB 的存储空间，您获得的存储空间是大多数高端智能手机平均 64 GB 存储空间的 20 倍。此时，您甚至可能根本不需要 microSD 卡。
它也不仅仅是存储。三星新的 1 TB eUFS 也是迄今为止最快的，具有 1000 MB/s 的顺序读取速度和 260 MB/s 的顺序写入速度。三星表示，这是典型 2.5 英寸 SATA SSD 速度的两倍。实际上，这将与可以以 960 fps 录制视频的相机传感器齐头并进。
当然，尽管三星并没有直接说出来，但这会引发有关 Galaxy S10+ 高级版的传言。据报道，该型号将拥有 12 GB 的 RAM 和 1 TB 的存储空间。由于三星已经有能力制造前者，本次公告证明它也有能力制造后者。