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SK海力士今天宣布 已经开始大规模批量生产新一代HBM2E DRAM内存

来源:快科技

SK海力士今天宣布,已经开始大规模批量生产新一代HBM2E DRAM内存/显存芯片,距离去年8月首次提出这一规格只有10个月的时间。

SK海力士的HBM2E具备大容量、高速度、低功耗的特点,利用TSV硅穿孔技术垂直堆叠八颗16Gb(2GB)芯片,从而做到单颗容量16GB,是上代HBM2的两倍,理论上更是可以做到十二颗堆叠、单颗单颗容量24GB。

HBM2每个堆栈的数据率高达3.6Gbps(可理解为等效频率3.6GHz),搭配1024-bit I/O,带宽可以轻松做到460GB/s,电压则维持HBM2 1.2V的水平。

如果使用四颗组合,总容量就是64GB,总位宽为4096-bit,总带宽则超过1.8TB/s。

这样的规格是GDDR6望尘莫及的。

SK海力士表示,HBM2E可广泛应用于工业4.0、高端GPU显卡、高性能超级计算机、机器学习、AI人工智能等各种尖端领域。

在历史上,SK海力士也是第一个搞定了HBM,并由AMD显卡首发,最初搭载于R9 390X。

三星也在积极准备HBM2E,美光则模糊地表示会在年底之前推出新一代HBM。

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