在 PCIM Asia 2026 现场，芯师爷专访三菱电机机电（上海）半导体事业部总经理赤田智史，完整阐释三菱电机 Si 与 SiC 双轨并行战略，核心思路不是用 SiC 全盘替代 IGBT，而是按耐压、功率、成本、能效指标做场景切分，同步迭代两条产品线，同时推出混合封装方案作为过渡，高耐压、重可靠性场景继续深耕新一代 HV‑IGBT；高频、追求轻量化、高能效的车载、家电、数据中心电源逐步导入全 SiC，混合模块兼顾改造难度和投入成本，两条路线都会持续投入扩产与研发，不会快速淘汰硅基器件。
按照采访里的判断，IGBT 的基本盘集中在高压直流输电、轨道交通、大容量风电储能，这类场景对器件短路鲁棒性、长期稳定性、供货成本非常敏感，即便 SiC 技术成熟，短期内也很难完全替换；SiC 的增量机会来自新能源车 800V 平台、OBC、DC/DC、新一代高能效空调（受 2027 APF 法规驱动）、AI 数据中心高压供电；为平衡客户迁移压力，三菱主推混合 SiC 模块，保留成熟 IGBT 驱动体系，搭配 SiC SBD 降低反向恢复损耗，适合存量设备改造；同时自研全 SiC 模块面向新平台开发，搭配专属驱动、保护方案。
落地执行分为四条主线：持续升级第 8 代 IGBT，扩充高压 3.3kV、4.5kV HVIGBT；推进 SiC 从第四代转向第五代沟槽栅 MOSFET，保持两年一代迭代节奏；熊本泗水 8 英寸 SiC 产线扩产，联合 Coherent 稳定衬底供给，到 2026 财年把 6+8 英寸 SiC 总产能拉到 2022 年的 5 倍；继续开发混合封装智能功率模块，例如家电 SLIMDIP 混合方案，把 Si RC‑IGBT 和 SiC‑MOSFET 并联，用专用驱动 IC 均衡电流，压低整机成本。
整体来看，这套双轨策略的底层逻辑是 “系统成本优先”，客户最终选型看整机能效、散热、BOM、认证、供应链稳定性，而不是单纯看芯片材料；硅基 IGBT 市场增速虽然慢于 SiC，但体量巨大、需求稳健，三菱还在福山工厂扩张硅产线；长期来看，二者是互补关系，混合方案会成为很长一段时间里的主流过渡形态，而全 SiC 在高端增量市场渗透率持续抬升。
两条技术路线核心产品清单
- 硅基 IGBT：第 8 代 CSTBT，分段沟槽栅、超薄晶圆；覆盖工业变频、储能、风电；高压 HVIGBT 包含 3.3kV、4.5kV，面向轨道、电网 HVDC
- SiC MOSFET：第五代沟槽栅，相比四代降低约 25% 比导通电阻，兼顾低 Ron 和栅氧可靠性；车载 750V/1200V 模块、家电 DIPIPM、数据中心高压电源
- 混合模块：Si IGBT + SiC SBD / Si RC‑IGBT + SiC‑MOSFET 并联，兼容传统驱动，改造门槛低
- 全 SiC 模块：面向全新平台，开关损耗更低、支持更高频率，对驱动、保护、PCB 寄生控制要求更高
IGBT、混合 SiC、全 SiC 选型对比
| 方案 | 主打场景 | 核心优势 | 约束点 |
|---|---|---|---|
| 纯硅 IGBT | 轨道交通、电网、大容量储能、普通工业变频 | 成熟、短路耐量高、驱动简单、成本可控 | 高频工况损耗偏大，功率密度上限低 |
| 混合 SiC 模块 | 存量逆变器改造、家电、通用工业 | 兼容原有驱动，不用大规模改硬件，性价比均衡 | 能效提升幅度有限，属于过渡方案 |
| 全 SiC 模块 | 800V 车平台、OBC、高压服务器电源、高端空调 | 开关损耗低、高频、体积更小、散热压力下降 | 驱动设计复杂、保护窗口窄、现阶段单价更高 |
采访中提到的关键布局要点
- 产能节奏：8 英寸 SiC 新厂重点保障车载与工业 SiC 供给，抗震设计保障供应链韧性；硅基产线同步扩产，守住高压大盘。
- 迭代节奏：SiC MOSFET 保持两年一代；IGBT 重点在高压等级持续升级，守住电网、轨道高壁垒市场。
- 中国市场策略：不做全赛道价格竞争，面向出口机型、高可靠需求客户，发挥高耐压、长寿命模块优势。
- 新赛道机会：AI 数据中心从传统 UPS 向服务器内部高压电源拓展，是 SiC 新增量赛道。
- 行业整合：三菱、罗姆、东芝正在协商功率半导体业务整合，目标集中研发、提升规模效应，细节尚在磋商。
【常见问题】
问题 1：专访三菱电机半导体事业部总经理：SiC 与 IGBT 如何双轨并行，双轨并行是不是意味着 SiC 慢慢替代 IGBT？
回答 1：专访三菱电机半导体事业部总经理：SiC 与 IGBT 如何双轨并行，不是全盘替代。高压电网、轨道交通、大容量储能这些强可靠性场景，新一代 IGBT 仍是主力；SiC 主攻高频、轻量化、高能效增量市场，混合模块作为中间路线，硅基业务本身还在持续扩产。
问题 2：专访三菱电机半导体事业部总经理：SiC 与 IGBT 如何双轨并行，第五代沟槽栅 SiC 相比上代主要提升在哪？
回答 2：专访三菱电机半导体事业部总经理：SiC 与 IGBT 如何双轨并行，第五代采用新型沟槽结构提升元胞密度，比导通电阻相比第四代下降约 25%，同时重点优化栅氧稳定性，抑制长期使用的特性漂移，适合车载主驱这类严苛工况。
问题 3：专访三菱电机半导体事业部总经理：SiC 与 IGBT 如何双轨并行，混合 SiC 模块适合什么样的客户？
回答 3：专访三菱电机半导体事业部总经理：SiC 与 IGBT 如何双轨并行，适合存量设备升级的客户，不用重新设计整套驱动电路，短路鲁棒性接近传统 IGBT，借助 SiC 二极管降低反向恢复损耗，平衡能效提升和改造成本。
问题 4：专访三菱电机半导体事业部总经理：SiC 与 IGBT 如何双轨并行，8 英寸 SiC 产线对下游带来哪些变化？
回答 4：专访三菱电机半导体事业部总经理：SiC 与 IGBT 如何双轨并行，更大晶圆尺寸提升单批产出、分摊衬底成本，和 Coherent 合作锁定衬底供给，稳定交付，长期帮助全 SiC 方案缩小和硅器件的价差。
【数据来源】
[2026-11-09]（专访三菱电机半导体事业部总经理：SiC 与 IGBT 如何双轨并行？）芯师爷
[2026-11-09]（PCIM Asia 2026 三菱电机采访实录）芯师爷
[2026-05-29]（三菱电机半导体事业部 IR Day 业务战略）三菱电机官方
[2026-08-26]（三菱电机第 8 代 IGBT、第五代 SiC MOSFET 产品说明）三菱电机中国
[2026-09-10]（三菱电机 SiC 泗水工厂投产公告）三菱电机官网
【免责声明】
本内容基于芯师爷现场专访赤田智史实录、三菱电机公开产品与产能资料整理；场景划分、产品路线、产能规划为现阶段战略表述，会随衬底成本、客户方案、法规变化调整；混合 / 全 SiC、IGBT 的实际能效、可靠性表现取决于整机驱动、散热、拓扑设计；本文仅为行业资讯解读，不构成器件选型、采购、投资决策依据。