这些年来，我们仍然无法立即启动PC或恢复Windows中的活动会话。根据系统的不同，从睡眠或冬眠中醒来可能要花费一小段时间，甚至感觉到永恒。部分原因是因为PC对DRAM的依赖以及它的工作方式。不过，好消息是-英国兰开斯特大学的研究人员创造了一种非易失性存储器，这种存储器可能有一天使即时PC成为现实。
他们称其为UK III-V内存。非易失性存储器绝不是什么新鲜事物，但关键的区别在于速度。UK III-V存储器的速度足以取代DRAM，并且消耗的功率很小。
要了解为什么这很重要，重要的是要了解什么是DRAM及其如何使PC受益。DRAM或动态随机存取存储器是您卡在主板DIMM插槽中的东西。它通常简称为RAM。对于游戏PC，16GB RAM是最佳选择。
与其他形式的内存相比，RAM的速度令人难以置信，甚至包括最快的消费类SSD中都可以找到基于闪存的存储。但是这种性能是有代价的。RAM是易失性的，这意味着在不加电时它不会保留数据。当您关闭PC时，所有载入RAM的数据都将被刷新，最终引导至干净状态。
使您的PC进入睡眠状态可以提供关闭系统的终极途径。从本质上讲，这是一种低功耗模式，可以使少量汁液流向RAM，从而保留其内容。当您的PC从睡眠中唤醒时，您打开的文档以及其他所有内容都与您离开时一样。休眠类似，不同之处在于休眠将PC当前状态的内容写入硬盘驱动器，以便可以关闭，然后以类似(尽管速度较慢)的方式还原所有内容。
两者都是关闭PC的可行替代方法(就像一直保持关闭状态一样)，但是它们并不完美。睡眠模式可能有故障。多年来，我一直拒绝让PC从睡眠模式中正常唤醒，这使我不知所措。
这就是UK III-V存储器如此吸引人的原因。它是一种非易失性存储器，因此在断电时会保留您PC的内容。同样重要的是，它的运行速度足够快，可以替代当今的DRAM。
《电子周刊》(在Toms Hardware上被我们的朋友发现)发布了该技术的一些细节，尽管有警告，但一定程度的技术泡沫将有助于解析该信息。要点是，UK III-V存储器既是非易失性的，又具有很高的功率效率。它消耗了当今DRAM和NAND闪存写入数据所需能量的大约1%。
在技术方面，UK III-V存储器使用浮栅来存储存储器，就像闪存一样。但是，代替使用氧化物隔离，砷化铟和锑化铝材料可以在浮栅和控制栅之间实现“近乎完美”的隔离。
如果这对您有意义，请在本文中查找更多技术细节。其他所有人都可以坐下来，希望这能真正替代DRAM。
