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当高带宽内存(HBM)于2015年推出时，人们对其寄予厚望，但仍无法与当时流行的图形卡GDDR5内存竞争。随着HBM2的到来，这种情况迅速改变。现在

值得期待的事情：在单个封装中具有RAM和NAND的优势是存储器制造商多年来一直在尝试的尝试，但收效甚微。新型的非易失性存储器可能是设备的

这些年来，我们仍然无法立即启动PC或恢复Windows中的活动会话。根据系统的不同，从睡眠或冬眠中醒来可能要花费一小段时间，甚至感觉到永恒

在过去的几周中，有关DRAM和NAND市场的新闻很多。首先，三星工厂的电力中断很小，导致几天的生产停机时间。除此之外，分析师还提出了对2020

英国兰开斯特大学的研究人员已经成功地创建了一种非易失性闪存，其速度与DRAM一样快，但仅消耗了现代NAND或DRAM存储器写入位所需的能量的1%

2019年12月31日，三星在韩国的华城工厂停电一分钟。花了三天时间使DRAM工厂重新投入生产。根据DRAMeXchange的一份报告，尽管谣言事件似乎不

据Digitimes报道，DRAMeXchange表示2020年DRAM价格将在2020年第一季度上涨约5%。原因是在2019年期间，许多图形卡和GPU产品已从较旧的GDDR5

在过去几个月中出现的一种模式中，行业分析师预计，明年内存价格将上涨30%。尽管对价格周转的更好分析之一是已有五个星期的历史了，但随着

中国的DRAM制造商要想与三星，SK海力士或美光等经验丰富的大公司抗衡，还有很长的路要走。根据TrendForce的数据，三星，SK海力士和美光是第