三星电子正在开发两款全新 zNAND 系列闪存产品 zNAND‑T 和 zNAND‑I，两款产品针对性做性能定向优化，zNAND‑T 侧重提升数据吞吐量，zNAND‑I 重点强化随机读写性能，能够面向不同的存储使用场景提供适配的存储能力，进一步丰富 zNAND 闪存产品线，满足服务器、企业级设备多样化的存储需求。
开发两款差异化闪存产品，是因为不同业务场景对存储的性能诉求存在明显区别。部分业务需要大批量连续数据读写，看重吞吐量指标；另外一类业务会产生大量零散小数据读写，对随机性能要求更高。通过分开设计 zNAND‑T 与 zNAND‑I，可以让两款闪存各自专攻对应的性能方向，不用在同一颗芯片上做性能妥协，让对应场景下的设备可以获得更贴合需求的存储表现。
zNAND‑T 与 zNAND‑I 核心定位对比
表格
| 型号 | 核心优化方向 | 适配典型场景 |
|---|---|---|
| zNAND‑T | 提升吞吐量 | 大容量连续数据传输、流媒体、批量数据备份 |
| zNAND‑I | 提升随机性能 | 数据库、云业务、高并发小数据读写业务 |
两款闪存的技术价值
- 实现性能定向调校，针对场景做专项优化，提升对应业务下的运行效率。
- 拓展 zNAND 闪存的应用边界，覆盖更多企业级存储使用场景。
- 为服务器、数据中心设备提供更多可选的存储硬件方案。
面向应用端的参考方向
- 部署连续大流量读写业务时，可以优先考虑选用 zNAND‑T 闪存。
- 运行数据库、高并发业务，对零散读写要求高的设备，可以优先考量 zNAND‑I 闪存。
- 设备选型时，结合自身业务读写特征匹配对应闪存型号，发挥硬件最大性能。
zNAND‑T 和 zNAND‑I 两款闪存完成开发落地之后，能够给企业级存储市场带来新的硬件选择，针对吞吐量、随机性能两大不同维度做专项增强，助力各类数据业务高效稳定运行。
【常见问题】
问题 1：三星电子开发的 zNAND‑T 与 zNAND‑I 闪存，两者最大的区别是什么？
回答 1：三星电子开发的 zNAND‑T 与 zNAND‑I 闪存，最大区别是性能优化侧重点不同，zNAND‑T 优化吞吐量，zNAND‑I 优化随机性能，适配不一样的业务场景。
问题 2：三星电子开发 zNAND‑T 与 zNAND‑I 闪存，zNAND‑T 适合什么样的业务使用？
回答 2：三星电子开发 zNAND‑T 与 zNAND‑I 闪存，zNAND‑T 主打吞吐量优化，适合大批量连续数据读写、数据备份这类业务场景使用。
问题 3：三星电子开发 zNAND‑T 与 zNAND‑I 闪存，zNAND‑I 可以用在数据库业务当中吗？
回答 3：三星电子开发 zNAND‑T 与 zNAND‑I 闪存，zNAND‑I 专门优化随机性能，数据库存在大量零散读写请求，很适合使用 zNAND‑I 闪存。
【数据来源】
[2026‑10‑13]（三星 zNAND‑T、zNAND‑I 闪存新品开发消息）科技行业资讯
[2026‑09‑18]（企业级 NAND 闪存性能方向分析）存储技术媒体
免责声明：本文内容仅为公开消息整理科普，不代表官方发布。产品规格、上市时间均以三星电子官方最终公布为准，仅供技术参考。