G.Skill宣布推出适用于HEDT平台的新四通道内存套件，包括Intel X299和AMD TRX40，容量分别为64GB DDR4 RAM和256GB DDR4 RAM。256GB内存套件使用高密度32GB模块，从而最大程度地增加系统中的RAM数量。
G.Skill总共宣布了四个存储套件，以后还会有更多。其中有两个是为Intel X299设计的，专注于模块速度– 4000MHz。另一方面，另外两个套件是为具有低延迟模块的AMD TRX40平台设计的。
DDR4-4000 CL15-16-16-36 64 GB(8GBx8)内存规格在1.50V电压下将64GB内存套件中的高速与低延迟结合在一起，“以实现最高的内存性能”。该套件已在华硕ROG RAMPAGE VI EXTREME ENCORE上使用Intel Core i9-10900X处理器以及专为高性能工作站设计的MSI Creator X299进行了验证。
专为Intel X299设计的256GB内存套件是一个8模块DDR4-4000 CL18-22-22-42套件，工作电压为1.35V，非常适合“内存不足的应用程序”。该套件的验证是使用Intel Core i9-9920X和i9- 9820X CPU，分别与MSI Creator X299和ASUS PRIME X299-DELUXE II主板配对。
对于TRX40平台，G.Skill设计了DDR4-3600 CL14-15-15-35低延迟规范，用于1.45V，用于64GB(8GBx8)TridentZ Neo内存套件。验证过程是使用最近发布的AMD Ryzen Threadripper 3960X处理器和新的ASUS ROG Zenith II Extreme主板进行的。
至于用于AMD HEDT平台的256GB内存套件，有一个DDR4-3600 CL16-19-19-39 256 GB(32GBx8)规格，电压为1.40V。与以前的工具包一样，它使用AMD Ryzen Threadripper 3960X处理器和新的ASUS ROG Zenith II Extreme主板进行了验证。