新加坡麻省理工学院研究与技术联盟(SMART)，即麻省理工学院在新加坡的研究企业，已宣布成功开发出一种商业可行的方法，以制造将高性能III-V器件插入其设计中的集成硅III-V芯片。
在当今的大多数设备中，基于硅的CMOS芯片用于计算，但它们在照明和通信方面效率不高，从而导致效率低和发热。这就是为什么市场上当前的5G移动设备在使用时会变得非常热，并在短时间内关闭的原因。
这就是III-V半导体的价值所在。III-V芯片由元素周期表的第3列和第5列中的元素制成，例如氮化镓(GaN)和砷化铟镓(InGaAs)。由于其独特的性能，它们非常适合光电子(LED)和通信(5G等)-大大提高了效率。
“通过将III-V集成到硅中，我们可以利用现有的硅制造能力和低成本的批量生产技术，并包括III-V技术的独特光学和电子功能，” SMART首席执行官兼总监Eugene Fitzgerald说，麻省理工学院在新加坡的研究企业。新芯片将成为未来产品创新的核心，并为下一代通信设备，可穿戴设备和显示器提供动力。”
SMART LEES研究计划的高级科学总监Kenneth Lee补充说：“然而，以商业上可行的方式将III-V半导体器件与硅集成是半导体行业面临的最困难的挑战之一，目前的方法昂贵且效率低下，这延迟了行业所需的芯片的可用性，通过我们的新工艺，我们可以利用现有能力以经济高效的方式制造这些新型集成式Silicon III-V芯片，并加快开发速度并采用能够推动经济发展的新技术。”
SMART开发的这项新技术在单独的基板上构建了两层硅和III-V器件，并将它们垂直集成在一个微米内，该微米为人发直径的1/50。该工艺可以使用现有的200mm制造工具，这将使新加坡及世界各地的半导体制造商能够重新利用其现有设备。如今，投资于一种新制造技术的成本在数百亿美元左右，因此，这种新的集成电路平台具有很高的成本效益，并将导致成本更低的新型电路和电子系统。
SMART专注于为像素化照明/显示器和5G市场创建新芯片，这些市场的潜在市场合计超过$ 100B USD。SMART的新集成式Silicon III-V芯片将破坏的其他市场包括可穿戴式微型显示器，虚拟现实应用程序和其他成像技术。
