通常，当我们谈论纳米时，它是关于最新的芯片组。但是，三星团队在IEDM 2019大会上提出了一项技术，该技术有望基于14nm FinFET工艺制造144MP图像传感器。
主要挑战是图像传感器需要在相对较高的电压(2V及以上)下工作，并且所有芯片组设计人员都力争将电压降至最低(因为这样可以降低功耗和热量)。
根据三星研究人员的说法，14nm FinFET技术将使144MP传感器的功耗降低42%，同时以10fps的速度捕获图像。对于30-120fps的12MP读数(即录制视频)，省电最多可节省37%。
请注意，此声明与像素大小无关–而是14nm指的是晶体管，它放大来自像素的信号以及图像传感器上的其他模拟和数字处理硬件。
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