标签 > 长鑫科技G6内存前瞻：无EUV路径下的密度突围与3D愿景

长鑫 G6 内存选择继续使用 DUV 光刻方案，不走 EUV 路径，依靠图案化工艺优化、晶圆键合创新来提升存储密度，同时持续推进 3D 内存