长鑫 G6 内存选择继续使用 DUV 光刻方案，不走 EUV 路径，依靠图案化工艺优化、晶圆键合创新来提升存储密度，同时持续推进 3D 内存技术的长期研发，打造可持续迭代的国产 DRAM 技术路线。在存储行业传统的二维微缩越来越接近物理极限的背景下，EUV 光刻是行业的一种进阶方案，长鑫选择深度挖掘 DUV 工艺潜力，搭配 SAQP、SADP 多重图案化技术，持续收紧字线、位线、有源区的间距指标，同时引入晶圆混合键合工艺，把存储阵列和外围逻辑电路分开制造再整合，以此进一步压缩存储单元面积，为后续 3D 内存架构打好技术基础。
- G6 核心工艺优化清单
- 采用 193nm 浸没式 DUV 光刻机，搭配 SAQP 自对准四重图案化作为主力光刻方案，部分工艺层使用 SADP 自对准双重图案化
- 引入晶圆混合键合技术，实现存储阵列与逻辑电路的解耦制造，突破单片晶圆工艺约束
- 持续优化光刻胶、刻蚀、薄膜沉积配套工艺，同步收窄各项关键间距参数
- G6 密度提升关键指标 表格 5
- 3D 内存长期技术布局
- 持续研发 4F² 垂直环绕闸极 VSG 晶体管架构，为 3D DRAM 提供底层器件支撑
- 积累晶圆混合键合工艺经验，作为 2D 向 3D 内存过渡的核心互联技术
- 完成高深宽比刻蚀等配套工艺储备，支撑未来多层堆叠的 3D 内存方案落地
这套不依赖 EUV 的 G6 技术路线，可以在现有成熟 DUV 产线基础上持续迭代提升内存密度，同时完成 3D 内存的技术积累，为国产 DRAM 开辟长期稳定的升级路径。
【常见问题】
问题 1：长鑫 G6 内存不使用 EUV，依靠哪些技术实现密度突围？
回答 1：长鑫 G6 内存不使用 EUV，依靠 DUV 搭配 SAQP/SADP 多重图案化工艺，加上晶圆混合键合技术，收紧存储阵列各项间距，缩小存储单元面积，实现密度突围。
问题 2：长鑫 G6 内存的 3D 愿景，和 G6 平台之间是什么关系？
回答 2：长鑫 G6 内存属于 2D DRAM 迭代产品，G6 引入的混合键合工艺是 3D 内存的关键技术铺垫，G6 的研发成果会为后续 3D DRAM 落地积累工程经验。
问题 3：长鑫 G6 内存采用 DUV 路线，对国产存储供应链有什么价值？
回答 3：长鑫 G6 内存采用 DUV 路线，能够依托现有成熟产线持续迭代升级，保持国产 DRAM 供应链稳定，同时持续积累先进存储工艺，丰富国产内存技术方案。
【数据来源】
[2026-10-12]（DUV 光刻机榨到极限！长鑫 G6 内存面积再缩 30%：键合工艺首次登场）新浪财经
[2026-10-12]（长鑫存储加速 4F² DRAM 开发：推出融合混合键合技术 DDR5 RDIMM）超能网
[2026-09-20]（长鑫存储第五代技术平台正式量产 实现微缩工艺新突破）长鑫存储官网
免责声明：本文是长鑫 G6 内存前瞻技术分析，G6 属于在研规划技术，相关指标为行业预测数据，尚未正式量产，不构成投资参考，存储芯片研发存在技术迭代周期，实际产品参数以企业官方后续发布为准。
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