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III-V内存
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III-V内存
突破无违反且效率更高
根据《电子周刊》的报告,英国兰开斯特大学的研究人员已经成功创建了一种非违规闪存,其速度与DRAM一样快,但所消耗的能量却是NAND或DRAM存
2020-01-18 10:19:19