导读根据《电子周刊》的报告，英国兰开斯特大学的研究人员已经成功创建了一种非违规闪存，其速度与DRAM一样快，但所消耗的能量却是NAND或DRAM存
根据《电子周刊》的报告，英国兰开斯特大学的研究人员已经成功创建了一种非违规闪存，其速度与DRAM一样快，但所消耗的能量却是NAND或DRAM存储器的一小部分。研究人员将这种存储器命名为UK III-V Memory。唯一尚未解决的问题是该存储器的耐用性。
该存储器的开发仍处于单晶体管阶段，这意味着与拥有UK III-V的任何RAM相比我们还有很长的路要走
对于使用20 nm光刻制造工艺构建的栅极，所需的功耗约为-10焦耳功率的10倍。UK III-V存储器的晶体管具有默认的关闭状态，对栅极充电大约需要5 ns的电量。“这意味着即使没有掺杂，电子也会从GaSb的整个价带流到InAs通道的导带。以前是这种情况，但是在这里，我们使In(Ga)As通道变窄因此，除非施加适当的电压，否则限制会将沟道状态的能量推至正好在GaSb价带之上，从而使其未被占用且处于常关状态，这使得读数类似于闪光灯，并且应提供出色的读数与我们以前的设备形成1-0的对比，允许它们以完全可寻址的阵列连接。”首席研究教授Manus Hayne告诉《电子周刊》。
即使系统完全关闭，利用此非易失性存储器的PC仍可能将数据存储在RAM中，因此可以从完全关闭的瞬间恢复。这种进步将消除对睡眠状态的需求，并且还允许系统在空闲时关闭RAM的电源，从而降低功耗。
有了这种新的非易失性存储器，可能提供与DRAM相当的速度，看看UK III-V存储器是否能够像通常使用的DRAM一样处理重复的重写操作将很有趣。如果对这种存储器的持久性有疑问，那么这可能会阻止使用该类型存储器的计算机的任何梦想。