导读 Rambus宣布了其高速存储接口解决方案系列的新成员，其中包括新的High Bandwidth Memory 2E控制器和物理层IP，以紧凑，节能的封装提供了
Rambus宣布了其高速存储接口解决方案系列的新成员，其中包括新的High Bandwidth Memory 2E控制器和物理层IP，以紧凑，节能的封装提供了最佳性能。
Rambus的新型HBM2E控制器和PHY IP为客户提供了将HBM2E存储器集成到产品中的完整解决方案。Rambus HBM2E接口完全符合JEDEC HBM2E JESD235标准，并通过8个独立通道支持每个数据引脚高达3.2 Gbps的数据传输速率，每个通道包含128位，总数据宽度为1024位。
这种配置可从2个，4个，8个或12个DRAM堆栈中获得每堆栈410 GB / s的总带宽。Rambus HBM2E接口设计有插入器，可在DRAM堆栈和SoC上的PHY IP之间路由信号。为了确保满足所有电源效率和散热要求，Rambus对整个系统进行了完整的信号和电源完整性分析。
经过共同验证的Northwest Logic控制器支持高达24 Gb的标准通道密度，同时通过Look-Ahead命令处理来最大化内存带宽和最小化延迟。结合HBM2E PHY，HBM2E控制器可创建完整的HBM2E存储器接口子系统。Rambus公司还提供这些产品分别与3使用第三党HBM2E控制器或PHY解决方案。
KitGuru说：Rambus的这种新的HBM2E接口为需要大量带宽的ASIC的开发人员提供了一站式解决方案，这将节省公司在其设计中实现对HBM2E存储器支持的公司的时间和成本。