导读 该HBM2E标准-相关显卡，服务器，高性能计算和多-承诺高达24GB和每堆内存带宽307 Gbps和三星是准备履行这一承诺。这家韩国巨头今天宣布开发
该HBM2E标准-相关显卡，服务器，高性能计算和多-承诺高达24GB和每堆内存带宽307 Gbps和三星是准备履行这一承诺。这家韩国巨头今天宣布开发出业界首个12层3D-TSV芯片封装技术，这将使该公司能够生产24GB HBM2E(增强型第二代高带宽存储器)芯片。
三星新的12层3D-TSV(直通硅偏置)技术基本上允许该公司堆叠多达12个DRAM芯片，同时保留与该品牌当前的8层HBM2解决方案相同的720微米厚度。对于制造商而言，这是个好消息，因为他们将能够利用更高容量的芯片而无需修改其配置设计。三星表示，这12个DRAM芯片通过3D配置垂直互连，该3D配置包括超过60,000个TSV孔，其厚度是人发束厚度的1/20。
额外的四层将使三星能够在一个封装中最多存储24GB的内存，这是现有8GB HBM2产品容量的三倍。该公司的12层3D-TSV技术不仅为更高容量的HBM芯片铺平了道路，而且由于传输时间更短，功耗更低，从而提高了性能。
三星将在短期内开始批量生产其24GB HBM2E产品，因此，如果即将推出的高端图形卡开始利用三星的新产品，我们不会感到惊讶。