台积电已经开始建造其3nm晶圆厂，预计将于2023年开始生产。这家台湾合同芯片制造商已购买了30公顷的土地用于该设施。
这片土地位于台湾南部的科技园区，台积电已经在该地区雇用了10,000多名员工，但是没有很多其他细节。该位置与台积电在2017年的披露一致，并且与5nm生产预留的面积相同。在该晶圆厂于2016年首次宣布期间，据报道，台积电将需要50至80公顷土地，并将于2022年启动。
去年有关于TMSC已获准开始生产的消息，估计成本为195亿美元，预计将于2022年末或2023年初开始生产。今年早些时候，TSMC首席执行官CC Wei表示3nm开发是“进行得很好”，并且该公司正在与早期客户就技术定义进行互动。
台积电目前正在努力在2020年上半年实现其5nm工艺节点的批量生产。2018年初，台积电的Fab 18晶圆厂破土动工，用于5nm生产。Fab 18的面积为42公顷，洁净室面积为160,000平方米，到2021年所有三个阶段都将完成时，每月产能将超过一百万个晶圆，可为4,000人提供工作。
所报告的2023年3nm量产时间表将是值得注意的，因为自2014年底以来，台积电选择了所有节点最多两年的节奏。总的来说，台积电选择了最多2倍的密度缩减，更加稳定的节奏，而英特尔推出了10nm超标度一词来描述其雄心勃勃的10nm 2.7倍缩放和14nm 2.5倍缩放。
英特尔周四表示，其目标是至少在接下来的几个节点上恢复两年的节奏，计划在2021年第四季度发布7nm工艺，其数据中心采用配备Foveros 3D封装的GP-GPU。这可能表明英特尔的5nm和台积电的3nm节点将在2023年实现全面竞争。尽管尚不清楚这两种工艺的细节，但英特尔声称其“正在重新夺回工艺领导地位”。
三星计划在2021年基于全能门(GAA)技术开始自己的3nm生产，尽管其密度将不及台积电的3nm。(对于三星来说，5nm是其7nm节点的优化。)
本月初，由于需求旺盛，台积电(TSMC)将其2019年的资本支出指引大幅增加了40亿美元，至14-15亿美元。英特尔还大量投资资本，预计在2019年投资160亿美元。英特尔周四表示，它将在2019年将其产能(按每月晶圆开工计算)提高25%，并计划在2020年再提高25%。