有产业消息传出，三星电子与 SK 海力士各自计划针对 ASML EUV 光刻机相关投资超过 10 万亿韩元，资金将用于设备采购、产线改造、工艺研发以及配套基础设施搭建，依托 EUV 推进更高层数的 3D NAND、更先进 DRAM 工艺研发与量产，巩固两家在全球存储芯片赛道的领先地位，这笔大额投入也释放出韩系存储大厂押注 EUV、加码先进存储的明确信号，将改变全球存储产能与工艺迭代节奏，同时进一步推高先进存储制造的资本门槛。过去一段时间，存储行业经历周期下行，两家企业主动控资本开支、放缓扩产；随着行业回暖，加上下一代存储工艺高度依赖 EUV，三星电子、SK 海力士选择集中资金布局 ASML EUV 相关投入，用来突破光刻精度瓶颈，实现存储单元微缩。
本次投资核心投向清单
- ASML EUV 新机采购：购置新一代 EUV 光刻机，扩充先进光刻产能。
- 产线改造适配：洁净间、气体、水电、传输系统改造，满足 EUV 运行条件。
- 先进工艺研发：利用 EUV 开发下一代 DRAM、超高堆叠 3D NAND。
- 配套材料与工艺：光刻胶、掩膜、蚀刻、沉积等配套工艺联合开发。
- 良率爬坡投入：投入资源完成 EUV 存储产线调试、良率优化。
- 中长期产能储备：为后续客户订单、高附加值先进存储产品预留产能空间。
三星电子与 SK 海力士 EUV 投入方向对比
| 企业 | 重点工艺方向 | 投资目标 |
|---|---|---|
| 三星电子 | 先进 DRAM、高堆叠 3D NAND、逻辑代工 | 维持存储龙头，同步强化先进代工能力 |
| SK 海力士 | 高密度 DRAM、超高层数 3D NAND | 聚焦存储主业，抢占下一代服务器存储市场 |
依托 ASML EUV 推进先进存储落地流程
- 敲定投资预算，向 ASML 提交 EUV 光刻机订单，锁定设备交付排期。
- 启动产线改造，搭建满足 EUV 严苛要求的洁净厂房与配套系统。
- 设备进厂、安装调试，完成机台校准与工艺配方导入。
- 开展小批量试产，持续优化光刻、蚀刻流程，提升芯片良率。
- 在良率达标之后逐步抬升产能，对外送样、导入头部服务器、消费电子客户。
- 根据存储市场周期、下游算力需求，动态调整 EUV 产线稼动率与扩产节奏。
整体来看，如果该消息落地，意味着三星电子、SK 海力士将把 EUV 作为未来先进存储竞争的核心抓手；EUV 设备本身单价极高、交付周期漫长，大额投入会拉高行业壁垒，也会让全球存储竞争转向工艺、良率与先进设备的比拼。
【常见问题】
问题 1：消息称三星电子、SK 海力士均将向 ASML EUV 光刻机投资超 10 万亿韩元，这笔钱只用来买光刻机吗？
回答 1：消息称三星电子、SK 海力士均将向 ASML EUV 光刻机投资超 10 万亿韩元，资金除采购光刻机之外，还包含产线改造、工艺研发、配套材料以及良率优化等投入。
问题 2：三星电子、SK 海力士加码 ASML EUV 光刻机投资，主要是为了做哪一类芯片？
回答 2：三星电子、SK 海力士加码 ASML EUV 光刻机投资，主要面向先进 DRAM 和高堆叠 3D NAND 存储芯片，适配服务器、AI 算力等高端需求。
问题 3：如果三星电子、SK 海力士完成这笔对 ASML EUV 光刻机的巨额投资，会带来哪些产业影响？
回答 3：若三星电子、SK 海力士完成这笔对 ASML EUV 光刻机的巨额投资，会加速先进存储工艺迭代，抬高存储制造资本门槛，改变全球存储芯片供给格局。
【数据来源】
[2026-11-10]（消息称三星电子、SK 海力士均将向 ASML EUV 光刻机投资超 10 万亿韩元）半导体产业资讯整理
免责声明：本内容仅为产业消息梳理，不构成存储芯片投资、采购决策建议；相关投资属于市场传闻，最终预算、采购数量、投产时间以三星电子、SK 海力士以及 ASML 官方公告为准，存储行业收益受周期、下游需求、设备交付进度多重因素影响。