格罗方德正式发布 7nm 级 FD-SOI 工艺平台，该平台计划在 2028 年进入量产阶段，依托 FD-SOI 技术低功耗、高射频集成的优势，面向汽车电子、物联网、无线通信等领域提供特色先进制程代工方案。FD-SOI 全耗尽绝缘层上硅工艺具备天然的漏电控制能力，在射频、低功耗芯片场景拥有独特优势，市场对于兼顾性能、成本与可靠性的特色先进工艺需求持续增长，格罗方德基于多年 FDX 系列 FD-SOI 技术积累，继续向下迭代到 7nm 级平台。整个平台落地流程，研发团队先完成 7nm 级 FD-SOI 工艺底层研发、材料与器件测试，确定全套工艺参数；接着开展 IP 库开发、客户样品流片验证，完成设计套件交付；持续优化产线设备与制造流程，做好良率爬坡相关准备；待到 2028 年正式量产，为芯片设计企业提供全新的特色工艺选择，拓展特色先进制程的应用边界。
7nm 级 FD-SOI 平台核心能力清单
- 低漏电特性：FD-SOI 绝缘层结构有效抑制漏电流，芯片功耗表现优异
- 射频一体化：支持数字、模拟、射频电路单片集成，简化芯片设计
- 高可靠性：具备良好抗辐照、温度稳定性，适配严苛车载与工业场景
- 成本优势：相比同级别 FinFET 方案，降低制造与设计的综合投入
平台适用应用场景
- 汽车域控、车载雷达芯片
- 5G/6G 无线射频通信芯片
- 高端物联网、边缘智能处理器
- 工业控制与传感器集成芯片
平台推出带来的产业价值
- 完善特色工艺路线：扩充 FD-SOI 技术谱系，补齐 7nm 级特色工艺供给
- 适配多元市场：面向汽车、通信等对可靠性、射频性能有高要求的行业
- 丰富客户选择：给芯片设计公司提供 FinFET 之外的先进工艺备选方案
【常见问题】
问题 1：格罗方德推出 7nm 级 FD-SOI 平台，计划 2028 年量产，这项工艺核心优势是什么？
回答 1：格罗方德推出 7nm 级 FD-SOI 平台，计划 2028 年量产，依托 FD-SOI 工艺结构，拥有低漏电、射频集成能力强、工作稳定性好的特点，非常适合车载、无线通信、边缘物联网芯片开发。
问题 2：格罗方德 7nm 级 FD-SOI 平台 2028 年量产，主要面向哪些芯片应用？
回答 2：格罗方德 7nm 级 FD-SOI 平台 2028 年量产，重点面向车载雷达与域控芯片、5G/6G 射频通信芯片、边缘智能芯片、工业传感器集成芯片等产品。
问题 3：格罗方德推出 7nm 级 FD-SOI 平台，2028 年量产，和传统 FinFET 工艺定位有什么区别？
回答 3：格罗方德推出 7nm 级 FD-SOI 平台，2028 年量产，属于特色先进工艺，主打低功耗、射频一体化；FinFET 更偏向追求极致高性能算力，二者面向不同芯片应用需求，互为补充。
【数据来源】
[2026-09-25]（格罗方德推 7nm 级 FD-SOI 平台，预计 2028 年量产）芯东西
[2026-09-21]（GlobalFoundries 公布 7nm FD-SOI 技术路线，2028 量产）EE Times
[2026-08-30]（FD-SOI 技术迭代，格罗方德升级新一代 FDX 工艺平台）半导体行业观察
免责声明
本文内容仅为半导体工艺科普参考，不构成芯片设计、晶圆代工项目选型、投资决策建议；格罗方德 7nm 级 FD-SOI 平台 2028 年量产的良率、IP 配套、客户流片进度受研发与产线调试影响，全部技术指标与交付计划请以格罗方德官方发布资料为准。