Vicor 推出的 48V FPA 分比式 AI 电源架构，通过先稳压、再电流倍增的两级变换思路，解决传统 AI 供电方案很难同时拿到高电流密度、高电流增益的痛点，适合大功耗 AI 芯片、芯粒集群的近芯垂直供电，能明显降低 AI 服务器托盘、机架的母线线路损耗。传统 AI 供电大多是先降压到 6V、2V 中间母线，再做多相稳压，低压母线电流大，线路 I²R 发热严重，而且电流密度和电流增益两个指标经常只能二选一；这套 48V 架构把稳压环节放在前端，先输出稳定 48V 母线，再靠靠近芯片的电流倍增器直接降到 1V 以下给 AI 处理器供电，电压降低的同时电流同步放大，也就是电流增益。48V 高压母线传输电流更小，走线损耗大幅下降，电流倍增器本身做得很薄，可以贴在芯片下方 PCB 背面，和去耦电容就近布置，供电响应速度更快、电压波动更小。不过这套方案不是直接替代所有传统多相供电，它对系统布局、散热、BOM 配套都有专门要求，更适合高功耗 AI 训练卡、超算力节点，普通低功耗推理卡使用收益有限。
一、48V FPA 电流倍增器核心参数清单
- 电流增益：最高可达 60 倍，常规规格 40 倍以上
- 电流密度：持续 5A/mm²，峰值 10A/mm²
- 模块厚度：仅 1.5mm，适配芯片下方垂直供电 VPD
- 开关技术：ZVS/ZCS 零开关损耗，低 EMI
- 瞬态响应：8.6A/µs，压摆率 400ns
- 输出特点：低输出阻抗、低电压纹波，无内置储能元件
二、48V FPA 架构和传统 6V 多相 TLVR 供电对比表
| 项目 | 48V FPA 分比式电源架构 | 传统 6V 多相 TLVR 供电架构 |
|---|---|---|
| 功率变换顺序 | 先稳压到 48V，后端电流倍增降压 | 先降压到 6V 母线，后端多相稳压 |
| 中间母线电压 | 48V 高压母线 | 6V 低压母线 |
| 母线传输损耗 | 低，同等功率下电流小 | 高，6V 母线损耗是 48V 方案 64 倍 |
| 电流增益能力 | 高，支持最高 60 倍电流放大 | 低，多相架构很难做到高增益 |
| 电流密度 | 高，薄型模块就近供电 | 受电感、体积限制，密度上限低 |
| 布局位置 | 电流倍增器紧贴 AI 芯片下方 | 多相 VR 放在远离芯片的主板区域 |
| 适用场景 | 高功耗 AI 训练芯片、芯粒集群 | 中低功耗 AI 卡、通用服务器 |
三、48V AI 电源架构可以兼顾两项指标的原因
- 功率链路拆分：稳压、电流倍增分成独立两级，不再用单一多相变换器同时承担稳压 + 大电流输出，解除指标互相牵制
- 高压母线传输：48V 在托盘内远距离传输，减小走线电流，降低线路发热，不用为了控热牺牲电流密度
- 近负载电流倍增：电流倍增器紧贴芯片，缩短大电流路径，减少寄生电感电阻，瞬态性能更好
- 薄型化封装：1.5mm 超薄模块可以塞进芯片下方狭小空间，实现垂直供电，不用占用主板大面积空间
- 软开关技术：ZVS/ZCS 降低开关损耗，高增益下依然维持高效率，不会因为放大电流导致发热失控
四、48V FPA 电源架构在 AI 板卡上的落地流程
- 算力板规划供电链路，确定 AI 芯片供电轨电压、峰值电流需求，选定电流倍增器 K 因子
- 前端稳压模块将输入 50V 电压精密稳压为 48V 母线，控制纹波指标
- PCB 布局：电流倍增器布置在 AI 芯片背面，和去耦电容共置，缩短供电回路
- 热设计：评估模块热阻，搭配散热结构，处理芯片下方局部热点
- 整机联调：测试负载瞬态、电压跌落、EMI、满载效率，匹配 AI 芯片动态算力波动
- 批量验证：长时间老化、高低温测试，确认在不同算力负载下稳定性
五、这套架构现存短板
- 整体方案配套门槛高，需要重新设计托盘供电链路，无法直接沿用老 6V 供电主板
- 电流倍增器属于专用器件，供应链选择少，初期 BOM 成本高于成熟多相 VR 方案
- 只适合大功率 AI 芯片，小功耗推理卡使用，节能收益不明显
- 对布局空间有硬性要求，芯片下方必须预留 1.5mm 以上安装空隙
- 系统设计需要重新做信号完整性、电源完整性仿真，研发周期更长
【常见问题】
问题 1：这款创新 48V AI 电源架构兼顾高电流密度与高电流增益，电流增益是什么意思？
回答 1：48V AI 电源架构里的电流增益，就是电流倍增器降压的同时电流反向放大，比如 48V 转 1V，电压缩小 48 倍，输出电流放大 48 倍，也就是 48 倍电流增益。
问题 2：48V AI 电源架构相比传统 6V 多相供电，最大优势是什么？
回答 2：48V AI 电源架构靠高压母线传输降低线路损耗，同时电流倍增器紧贴芯片，能同时拿到高电流密度和高电流增益，改善 AI 芯片瞬态供电、降低整机功耗。
问题 3：48V FPA 架构的电流倍增器，为什么可以放在 AI 芯片底下？
回答 3：48V AI 电源架构配套的电流倍增器厚度只有 1.5mm，体积小巧，支持垂直供电 VPD 方案，可以和 PCB 背面去耦电容放在一起，就近给 AI 芯片供电。
【参考资料】
[2026-11-13]（创新的 48V AI 电源架构，兼顾高电流密度与高电流增益）电子工程专辑
[2026-10-22]（以 48V 为 AI 处理器供电，向正确方向迈进）电子工程专辑
[2026-08-31]（独家专访：采用 48V 分比式电源架构为 AI 处理器供电）电子工程世界
[2026-08-17]（AI 超节点大功率垂直供电关键技术突破）北京市科学技术委员会
[2026-06-10]（Vicor 48V FPA 面向 AI 算力供电白皮书）Vicor 官方
【免责声明】
本文仅为电源技术资讯客观解读，不构成硬件选型、电路设计建议；48V AI 电源架构的实际效率、散热、成本表现，取决于板卡布局、配套器件与负载工况；方案落地需要专业电源工程师仿真验证，相关技术参数以器件厂商官方规格书为准。