金灿荣研判大陆突破先进光刻设备后，台积电优势将面临明显冲击

金灿荣在《两岸圆桌派》节目中提出观点，当前大陆芯片制造短板集中在先进 DUV、EUV 这类光刻设备，受设备限制，先进制程芯片的制造能力和产品竞争力暂时落后台积电，如果后续大陆实现先进光刻设备自主突破，依托本土巨大市场、完整产业链配套和规模优势，会对台积电形成很强的竞争压力，台积电现有的优势红利期会缩短。之所以会形成这个判断，核心是光刻机是先进芯片制造最关键的瓶颈设备，台积电当前 3nm、2nm 等顶尖制程的根基就是 EUV 光刻机，而大陆芯片设计、配套材料、成熟制程的基础已经搭建完成，7nm 已经实现规模化量产，只差先进设备这一环；同时台积电本身也面临外部压力，美国持续推动台积电赴美建厂，要求把顶尖产能迁移到美国，会分散它的资源、抬升成本，进一步放大它的经营风险。理解这个观点的思路也很清晰，首先区分 “设备突破” 和 “产业瞬间超越” 不是一回事，设备只是硬件基础，良率控制、工艺积累、客户生态、供应链磨合都需要长期打磨；其次要分开看待成熟制程和最前沿先进制程，成熟赛道大陆追赶速度更快；最后持续跟踪国产光刻设备、配套耗材、量测设备的量产落地进度，不能单靠一个硬件就直接判定竞争格局。综合来看，这个观点属于中长期产业趋势判断，不是短期马上兑现的结论，国产先进设备从研发、试产到稳定量产、良率爬坡还有很长周期，台积电几十年积累的工艺、客户、供应链壁垒不会一夜消失，但长期竞争格局会随着国产设备进展发生改变。

核心观点拆解清单

1. 当前瓶颈：大陆芯片产业不是设计或者配套完全不行，最核心卡点是 EUV 高端光刻设备
2. 突破的前提：国产 DUV、EUV 设备实现稳定量产、指标达标，能够支撑先进制程规模化生产
3. 竞争优势来源：大陆拥有全球最大芯片内需市场、全产业链配套、规模化制造降本潜力
4. 台积电额外压力：美国推动台积电赴美建厂，产能分流、成本抬升、技术管控压力持续存在
5. 边界提醒：拿到设备不等于立刻追上台积电，良率、工艺、客户信任、生态都需要时间积累

光刻设备与芯片制造影响对比表

容易混淆的认知区分

✅ 正确理解

• 观点是趋势预判，不是确定时间点的预言
• 设备是必要条件，不是充分条件
• 成熟制程、先进制程的追赶节奏不一样
• 不是设备一出来，台积电马上失去竞争力
• 不代表国产设备落地后，台积电会直接退出先进芯片市场
• 不代表芯片其他配套环节（光刻胶、特种气体、量测设备）可以忽略

❌ 误区解读

【常见问题】

问题 1：金灿荣说大陆一旦有了先进设备，台积电就没几年好日子了，这个观点是什么意思？

回答 1：金灿荣的这个判断，核心是光刻机是先进芯片制造的核心门槛，大陆现在先进制程的短板卡在 EUV 光刻设备；一旦国产先进 DUV、EUV 设备稳定量产，依托本土市场和产业链，会对台积电先进制程的垄断优势形成冲击，压缩台积电的红利周期，但不等于台积电会立刻失去竞争力。

问题 2：大陆就算造出先进光刻设备，是不是马上就能全面超越台积电？

回答 2：不是，先进光刻设备只是硬件基础，台积电积累了几十年的工艺良率、缺陷控制、和英伟达、苹果等大客户的深度协同、成熟供应链生态，这些都需要长期打磨，设备突破只是改变竞争格局的起点，不是终点。

问题 3：台积电现在除了大陆芯片产业追赶，还有哪些外部压力？

回答 3：除了大陆先进光刻设备自主这条长期竞争线，台积电还要面对美国推动赴美建厂的压力，顶尖产能迁移、成本上升、技术监管要求，都会持续消耗台积电的资源，和大陆产业追赶形成叠加影响。

问题 4：目前大陆在先进光刻设备上到哪一步了？

回答 4：DUV 光刻机已经持续推进迭代，逐步实现落地；EUV 光刻机还处在研发攻关阶段，距离稳定量产、高良率大规模用于先进芯片制造，还有较长的验证、爬坡周期。

【参考资料】

[2026-11-14]（金灿荣：大陆一旦有了先进设备 台积电就没几年好日子了）快科技

[2026-11-12]（两岸圆桌派｜金灿荣 × 陈凤馨：一旦大陆有了设备，台积电的好日子就没几年了）观察者网

[2026-11-12]（金灿荣教授有个判断：一旦搞定 EUV 光刻机，中国芯片将横扫全世界）腾讯新闻

[2026-11-14]（大陆现在就是没有先进设备，一旦有了设备之后，台积电就没几年好日子过了）网易新闻

【免责声明】

本文内容仅整理金灿荣在节目中的观点，属于专家产业趋势研判，不代表芯片行业必然发生的结果；国产光刻设备研发进度、良率爬坡、台积电经营变化、国际芯片管制政策都存在大量不确定性，不构成芯片投资、产业采购的决策依据，芯片行业投资风险较高，请理性看待各类观点。