硅片侧边复合风险更高,BC 相比 TOPCon 更重视边缘管控

硅片切割出来的侧边存在大量悬挂键,属于天然高复合区域,BC 背接触电池因为正负接触全部排布在背面,两种极性同时靠近硅片外圈,横向漏电