Kioxia声称，像3D XPoint这样的(3D)存储级内存(SCM)并不是未来，也没有长期前景。这是由该公司在最近的IEDM会议上提出的，该公司在此会议上推广了BiCS闪存和XL-Flash技术。原因是随着层数的增加，每位缩放的成本很低。
在过去十年的下半年，闪存行业转向了3D NAND。与传统的NAND相比，该单元的尺寸有所减小，但这可以通过垂直堆叠层来弥补，例如在Kioxia最新的3D NAND中具有96层。
同样在上个十年的下半年，英特尔和美光开始讨论并发售Optane SSD和DIMM。Optane基于公司所谓的3D XPoint(相变存储器(PCM)的一种形式)。3D XPoint也使用堆栈(因此称为3D)，但是第一代仅高两层。即将面世的第二代3D XPoint将把它增加到四层。
3D NAND的一个主要区别和优势在于，可以同时处理多个层，因此生产3D NAND芯片或晶圆的周期时间不会比单层长96倍。但是，3D XPoint就是这种情况，其中每个图层都必须单独处理。尽管这不会使整个芯片的成本直接翻番(或四层翻两番)，但这确实意味着3D XPoint扩展到大量层的前景受到限制。
3D NAND确实类似于3D XPoint的扩展挑战，即字符串堆叠。在这种技术中，堆叠了单独处理的3D NAND堆栈。例如，英特尔和美光科技在64和96层使用它来堆叠两个32层或48层堆栈。
上面是Kioxia对3D XPoint和类似存储类内存的“袭击”要旨。在IEDM上，该公司显示了AnandTech复制的以下图表(不允许拍照)。
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