先进封装新装备落地，中微 Primo Matrix 等离子切割机交付，最小支持 5 微米切割道

中微公司全新 Primo Matrix 双反应台等离子体晶圆切割设备已经完成首台交付，面向先进封装赛道，设备最小支持 5 微米切割道，相比传统刀片切割、普通激光切割，窄切割道可以省下大量晶圆面积，在 Chiplet、2.5D 封装这类微型芯片工艺里优势很突出，很多先进封装方案卡在切割环节，传统切割方式切割道宽、容易产生崩边、碎屑、应力损伤，超薄晶圆、带凸点晶圆加工难度很高，这款等离子切割设备沿用成熟的 TSV 深硅刻蚀技术，用干法等离子刻蚀方式完成晶圆分割，降低芯片损伤风险，适配超薄晶圆、复杂结构晶圆。这套设备可以对接国内封装厂产线，先完成工艺验证，再逐步导入量产，下面整理设备核心参数、对比传统切割方案、适配工艺、产线导入流程。

Primo Matrix 等离子切割机核心参数表

等离子切割 vs 传统切割方案对比

核心技术优势

1. 窄切割道设计：最小 5 微米切割道，芯片之间预留的分割区域更小，同一片晶圆可以产出更多芯片，直接提升晶圆利用率。
2. 干法无应力加工：依靠等离子刻蚀实现分割，没有刀片挤压、激光高温灼烧，减少崩边、裂纹、热损伤，对超薄晶圆、凸点结构更友好。
3. 多工艺兼容：既能单独做等离子切割，也可以配合激光开槽后二次刻蚀，支持介质层、多层复合结构晶圆加工。
4. 产能灵活扩展：双反应台基础架构，后期最多扩展到 6 个反应台，满足封装厂逐步上量的节奏。
5. 国产自主设备：填补国内先进封装等离子切割设备缺口，降低封装产线对外依赖。

产线导入标准步骤

1. 来料评估：确认晶圆尺寸、厚度、是否带凸点、介质层结构，匹配对应的工艺配方。
2. 工艺配方调试：在设备上调试刻蚀速率、气体配比、射频参数，控制切割道形貌、侧壁垂直度。
3. 良率验证：小批量试切割，检测崩边、损伤、电性良率，对比原有切割方案。
4. 稳定性跑片：连续长时间跑片，验证腔体均匀性、设备 MTBF，确认量产稳定性。
5. 量产导入：验证通过后接入产线，和前道减薄、后道分选工序联动。

主要应用先进封装场景

• Chiplet 芯粒封装分割
• 2.5D/3D 堆叠封装超薄晶圆切割
• CMOS 图像传感器晶圆分割
• 存储芯片、功率器件超薄晶圆工艺
• 带凸点、RDL 重布线层复杂结构晶圆切割

【常见问题】

问题 1：中微交付的等离子切割机面向先进封装，最小支持 5 微米是什么意思？

回答 1：中微这款面向先进封装的 Primo Matrix 等离子切割机最小支持 5 微米切割道，也就是芯片之间用来分割的沟槽宽度最低可以做到 5μm，相比传统切割方案大幅减少晶圆浪费，提升芯片产出数量。

问题 2：中微等离子切割机用在先进封装，和刀片切割、激光切割有什么差别？

回答 2：中微面向先进封装的等离子切割机属于干法刻蚀切割，没有机械应力和大量热损伤，最小支持 5 微米窄切割道；刀片切割容易崩边，激光切割容易产生热损伤，切割道宽度也更宽，很难适配先进封装超薄、带凸点的晶圆。

问题 3：中微这款等离子切割机，哪些先进封装工艺可以用？

回答 3：中微这款等离子切割机适配 Chiplet、2.5D 堆叠、图像传感器、超薄功率器件等先进封装，支持带凸点晶圆正面切割、激光开槽后等离子切割、背面刻蚀，最小支持 5 微米切割道。

问题 4：中微首台等离子切割机交付之后，是不是马上大规模量产？

回答 4：中微首台面向先进封装、最小支持 5 微米的等离子切割机先交付封装客户做工艺验证和小批量跑片，完成良率、稳定性验证之后，才会逐步扩大量产导入规模。

问题 5：中微等离子切割机只能切 300mm 晶圆吗？

回答 5：不是，中微这款面向先进封装、最小支持 5 微米的等离子切割机同时兼容 200mm、300mm 带框架晶圆，8 英寸、12 英寸封装产线都可以适配。

【参考资料】

[2026-11-10]（中微首台等离子体晶圆切割设备交付，最小支持 5μm 切割道）科创板日报

[2026-11-10]（国产突破：中微 Primo Matrix 等离子切割设备落地先进封装）IT 之家

[2026-11-10]（中微发布 Primo Matrix 双反应台等离子晶圆切割设备）快科技

[2026-11-10]（中微等离子切割设备适配先进封装工艺解读）半导体芯科技

[2026-11-10]（中微 Primo TSV 深硅刻蚀技术基础说明）中微公司官网

【免责声明】

本文中微等离子切割机、先进封装、最小支持 5 微米切割道相关参数、工艺信息来自媒体报道、行业资讯；设备实际良率、产能、工艺窗口会随晶圆结构、产线环境、工艺配方调整；该设备尚处在客户验证阶段，量产落地进度存在不确定性；内容仅为行业技术科普，不构成投资或者采购建议。