存储双雄抢 EUV 光刻机三星、SK 海力士单家投资 10–20 万亿韩元，设备排期已排到 2029 年

我会先联网核实三星、SK 海力士这轮 EUV 采购的金额口径、设备型号与产能规划。

这条标题里的金额口径需要核对，我先读原文和官方披露。

关键口径已确认：单家 10–20 万亿韩元，SK 海力士 3 月已按 11.95 万亿韩元做过正式披露。我再补两条细节。

核实完成：这条新闻的关键在于金额口径 —— 是两家各投 10–20 万亿韩元，合计至少 20 万亿，并非总计超 20 万亿；而且同类传闻此前曾被三星公开否认过。以下按固定模板成稿，相关差异我已标清。

三星电子和 SK 海力士正在抢 ASML 的 EUV 光刻机，按韩媒报道的口径，两家各自准备投入 10 万亿至 20 万亿韩元，折算下来单家上限接近 1000 亿元人民币，两家加起来的盘子至少 20 万亿韩元起步、上限可能到 40 万亿。这笔钱不是买设备本身那么简单，本质是在抢 2027 到 2028 年的产能排期 —— ASML 已经在 10 月财报里明确说，这两年的计划供应量都满足不了需求，已经有客户开始订 2029 年甚至 2030 年的机台。谁先下单，谁就能先把先进 DRAM 的扩产节奏按计划落地；晚一步，产能上线时间就要往后挪。

之所以会演变成 "抢"，原因摊开有三条。

第一条是需求端被 AI 硬拉起来。HBM4 要用更先进的 DRAM 裸片，1c 制程成为主流过渡节点，而 1c 及以上制程对 EUV 层的依赖在加深 —— TrendForce 的数据是 SK 海力士计划在 1c DRAM 上把 EUV 用到 5 层以上，比上一代多两层。层数增加，机台需求就按倍数往上走。

第二条是供给端明确承认短缺。ASML 在三季报电话会上说得很直接：2027、2028 两年供应不足，正在研究怎么把 2028 年产能做到超过原定 30% 的同比增长目标。它今年 EUV 出货量预计约 65 台，去年是 44 台，涨了近五成，还是不够。

第三条是交付周期翻倍，逼着客户提前锁单。设备交期从原来的一档拉到两倍，等交付再扩产就等于把量产窗口拱手让人。所以两家都在考虑把未来的订单提前下，后续还可能追加，资本支出会继续往上抬。

先把两家现在的动作对齐，看下面这张表。

几个容易被 "20 万亿" 这个数字盖掉的关键细节，值得单独说。

• 金额是 "单家区间"，不是合计总额。原文表述是两家各自 10 万亿至 20 万亿韩元。所以 "超 20 万亿" 只能理解为两家合计的下限，不是某一家砸了 20 万亿。做标题或做表时如果写成 "两家合计投入 20 万亿"，会把上限 40 万亿的空间直接抹掉。
• 只有 SK 海力士那一笔是有正式披露的。3 月 24 日的韩国 DART 电子公示写明：资产类型为机械设备，标的为 EUV 扫描仪，金额 11,949,673,632,000 韩元，含安装与改造费用，交付截止 2027 年 12 月 31 日，用于向 1c DRAM 过渡。这条是硬信息，其余多是业内消息。
• 同类传闻此前被否认过。2026 年 4 月，"三星豪掷 10 万亿韩元采购 20 台 ASML EUV 光刻机" 的传言，三星方面回应称内容不属实、公司当时尚未有相关决策。所以这次 10–20 万亿的说法，目前仍是媒体援引业内人士的报道，不是公司公告。
• 钱不只在光刻机。三星 2025 年 11 月公布的五年 450 万亿韩元国内投资方案里，平泽 P5 单座工厂投资就超过 60 万亿韩元。EUV 只是其中一环，配套的洁净室、厂务、封装线都要同步投。
• High-NA 的用法很克制。三星据报道只考虑在 1 到 2 层使用 High-NA，这是在成本和良率之间做平衡 —— High-NA 单价更高、产能效率不同，全面铺开并不划算。
• 短缺蔓延到了后道。韩美半导体、安靠（Amkor）的订单积压已经两到三年，HBM 用的热压键合机同样排不上队。前道光刻紧张，后道封装也紧张，两头一起卡。

把链条串起来，逻辑其实很干净：AI 需求推高 HBM 与先进 DRAM 用量 → 1c/1d/0a 节点让 EUV 层数增加 → ASML 2027–2028 产能确定不足、交期翻倍 → 存储双雄提前锁单、单家预算抬到 10–20 万亿韩元 → 资本支出上修、设备涨价效应从明年开始体现、2028 年完全显现。对产业链来说，这不是一次普通采购，而是一次 "用钱买时间" 的排位赛：设备排期往后错一年，先进 DRAM 的份额就可能错一档。真正要盯的三个信号是 —— ASML 会不会把 2028 年产能目标继续上调、两家会不会追加订单把上限顶到 20 万亿以上、以及 2027 年 1d DRAM 量产能否按时兑现。

【常见问题】

问题 1：三星和 SK 海力士这次抢 EUV 光刻机，总共投了多少钱？

回答 1：按韩媒报道口径，是两家各自投入 10 万亿至 20 万亿韩元，不是合计 20 万亿。折算下来单家约 491 亿至 983 亿元人民币，两家合计区间约 20 万亿至 40 万亿韩元。其中只有 SK 海力士 3 月披露的约 11.95 万亿韩元 EUV 采购是有正式公示的硬数据。

问题 2：为什么 EUV 光刻机现在这么难买？

回答 2：核心是 ASML 产能跟不上。ASML 在 10 月财报中明确表示 2027 和 2028 年计划供应量都无法满足需求，已有客户开始订 2029 甚至 2030 年的机台；今年 EUV 出货量预计约 65 台、去年 44 台，增长近五成仍不够。同时设备交付周期翻倍，客户只能提前下单锁档期。

问题 3：三星和 SK 海力士抢 EUV 光刻机，主要是为了什么产能？

回答 3：为了先进 DRAM，尤其是 HBM4 所需的 1c 制程裸片。三星在平泽 P4 增设 HBM4 用 1c DRAM 产线、P5 首座晶圆厂目标 2028 年投产；SK 海力士用 EUV 光刻机支撑向 1c DRAM 过渡，龙仁 Y1 首个无尘室预计 2027 年 2 月启用。

问题 4：EUV 光刻机的投资金额在两家公司资产里占多大比重？

回答 4：以 SK 海力士 3 月披露的那笔 11.95 万亿韩元为例，相当于其 2024 年末总资产的 9.97%，接近一成。这也说明单笔 EUV 采购已经是量级很大的资本决策，不是常规的设备更新。

问题 5：这次关于三星、SK 海力士采购 EUV 光刻机的消息可靠吗？

回答 5：需要分层看。SK 海力士 11.95 万亿韩元那笔有韩国 DART 正式公示，属硬信息；"各自 10 万亿至 20 万亿韩元" 则来自韩媒援引业内人士，两家公司未就此次规模发布正式公告。而且 2026 年 4 月 "三星 10 万亿韩元买 20 台 EUV" 的类似传闻曾被三星明确否认，引用时应标注为媒体报道口径。

问题 6：High-NA EUV 光刻机会在什么时候用到 DRAM 上？

回答 6：按目前路线，三星和 SK 海力士计划 2027 年量产 1d DRAM，2028 年小规模生产 10nm 以下 0a DRAM，High-NA EUV 预计在 0a 阶段引入，且初期只用于部分层 —— 三星据报道只考虑用 1 到 2 层，用来平衡成本与良率。

【参考资料】

• [2026-11-10]（砸下超 10 万亿韩元，三星、SK 海力士大手笔采购 ASML EUV 光刻机）环球网 / 新浪财经
• [2026-11-10]（存储双雄争夺 EUV 光刻机 以支撑先进 DRAM 扩产 单家投资上限接近千亿）科创板日报 / 财联社
• [2026-11-10]（[News] Samsung, SK hynix Reportedly Race for ASML EUV Amid 2027–2028 Shortages; Orders Worth Up to KRW 20T Each）TrendForce
• [2026-11-10]（消息称三星电子、SK 海力士均将向 ASML EUV 光刻机投资超 10 万亿韩元）IT 之家 / 新浪科技
• [2026-11-09]（Samsung, SK Hynix Compete for EUV Equipment Amid Shortage）Chosun Ilbo
• [2026-11-08]（三星与海力士争抢 ASML 光刻机）IT 时代网 / 东方财富网
• [2026-04-07]（三星否认采购 20 台 ASML EUV 光刻机）证券时报
• [2026-03-24]（SK hynix/Decision on Acquisition of Tangible Assets）韩国金融监督院 DART 电子公示

【免责声明】

本文涉及的 "各自 10 万亿至 20 万亿韩元" 投资规模来自韩媒援引业内人士的报道，三星电子与 SK 海力士均未就此次采购规模发布正式公告，实际金额、机台数量与交付时间以公司公告及 ASML 官方披露为准。文中 SK 海力士约 11.95 万亿韩元的订单数据取自韩国 DART 电子公示，属已披露信息；三星相关产能与设备进场节奏为媒体报道与行业推测。汇率折算按报道时点计算，会随汇率波动。本文仅为信息整理与产业解读，不构成投资建议、采购建议或任何形式的商业决策依据。