安世半导体（Nexperia）同步扩充碳化硅 SiC、氮化镓 GaN 两条宽禁带产品线，正式推出 750V 沟槽型 SiC MOSFET 系列，同时拓宽 GaN FET 产品矩阵，GaN 电压覆盖区间做到 18V–200V，新品主打低开关损耗、导通电阻随温度变化小、功率密度更高，面向新能源汽车、工业电源、光伏储能、数据中心电源等场景，本次发布补齐了安世在中高压 SiC 赛道的产品空缺，搭配原有 GaN 器件，形成高低压宽禁带器件组合，方便电源工程师做不同功率等级方案选型，下面分开梳理两款新品的核心参数、封装方案、适用场景、技术亮点，搭配对比表格清晰区分 SiC 和 GaN 的定位差异。
一、新品基础信息清单
- 发布主体：安世半导体 Nexperia
- SiC 新品：750V 沟槽型 SiC MOSFET 系列，代表型号 NSF020750LLB0（TOLL 封装）
- GaN 新品：拓宽 18V~200V 电压等级 GaN FET 产品线
- 核心工艺：SiC 采用沟槽结构；GaN 为 Cascode 共源共栅架构，常关型，兼容普通 MOS 驱动
- 封装类型：SiC 提供 TOLL、D2PAK、TO-247 等；GaN 采用 WLCSP、LFPAK、CCPAK 多种封装
- 认证等级：包含工业级、AEC-Q101 车规版本
- 事业部观点：该系列能够提升电源转换效率、功率密度，降低散热压力，适配新一代功率变换系统
二、750V SiC MOSFET 系列核心特点
- 导通特性：Rds (on) 温漂控制优秀，高温下损耗上涨幅度比平面 SiC 更小
- 电流规格：TOLL 封装型号 25℃连续电流 90A，100℃下 63A，峰值脉冲电流最高 300A
- 封装优势：TOLL 无引线封装，大面积漏极焊盘，热阻更低，适合高密度贴板方案
- 典型应用：车载 OBC 车载充电机、汽车 DC-DC、光伏逆变器、储能变流器、工业大功率电源、充电桩模块
三、18V~200V GaN FET 系列核心特点
- 低压区间补齐：覆盖 18V、40V、100V、150V、200V，偏向低压高频 DC-DC、负载开关
- 双向器件可选：部分型号支持双向导通，适合 USB 保护、电池路径切换
- 高频优势：栅电荷小，开关速度快，适合小体积适配器、板载电源、服务器次级变换
- 典型应用：便携快充、板载 DC-DC、电池管理、接口保护、小型工业供电
四、SiC 新品与低压 GaN FET 对照简表
| 项目 | 750V SiC MOSFET 系列 | 18V–200V GaN FET 系列 |
|---|---|---|
| 耐压等级 | 750V 中高压 | 18~200V 低压区间 |
| 核心优势 | 高温稳定、耐高压、大电流 | 高频、小封装、低栅电荷 |
| 主打场景 | 汽车 OBC、光伏、储能、充电桩 | 板载电源、快充、电池开关、接口保护 |
| 封装代表 | TOLL、TO247、D2PAK | WLCSP、LFPAK、CCPAK |
| 功率等级 | 大功率变换 | 中小功率高频变换 |
五、本次扩产发布的行业意义
- 完善宽禁带矩阵：安世之前主打二极管、650V GaN，本次新增 750V SiC，补齐车规、储能热门电压档；
- 差异化路线：SiC 主攻高压大功率新能源场景，低压 GaN 聚焦板载高密度电源，两条线互不冲突；
- 降低客户选型门槛：同一供应商同时提供 SiC、GaN、硅 MOS，BOM 和供应链可以统一管理。
【常见问题】
问题 1：安世半导体扩充宽禁带产品线，发布 750V SiC MOSFET 与 GaN FET 系列，750V SiC MOSFET 适合哪些场景？
回答 1：安世半导体扩充宽禁带产品线，发布 750V SiC MOSFET 与 GaN FET 系列，这款 750V 沟槽 SiC MOSFET 适合车载充电机、汽车 DC-DC、光伏逆变器、储能变流器、工业大功率电源、充电桩模块等大功率高压变换场景。
问题 2：安世半导体扩充宽禁带产品线，发布 750V SiC MOSFET 与 GaN FET 系列，这次的 GaN FET 电压覆盖是多少？
回答 2：安世半导体扩充宽禁带产品线，发布 750V SiC MOSFET 与 GaN FET 系列，本次拓宽的 GaN FET 产品线电压覆盖范围 18V 至 200V，主打低压高频中小功率电源应用。
问题 3：安世半导体扩充宽禁带产品线，发布 750V SiC MOSFET 与 GaN FET 系列，TOLL 封装对于这款 SiC 器件有什么好处？
回答 3：安世半导体扩充宽禁带产品线，发布 750V SiC MOSFET 与 GaN FET 系列，TOLL 属于无引线贴片封装，大面积外露漏极焊盘，热阻更低，散热更好，能承受更大持续电流，适合高密度 PCB 方案。
【参考资料】
[2026-11-13]（安世半导体扩充碳化硅功率半导体产品阵容，推出 750V 沟槽型 MOSFET 系列）新浪科技
[2026-11-13]（安世半导体扩充宽禁带产品线：发布 750V SiC MOSFET 与 GaN FET 系列）电子工程专辑
[2026-11-13]（Nexperia 发布 750V 沟槽 SiC MOSFET，新增 TOLL 封装选项）电子产品世界
[2026-11-13]（安世 SiC&IGBT 事业部解读 750V SiC 新品定位）集邦化合物半导体
【免责声明】
本文信息整理自安世官方产品信息、电子媒体报道；安世半导体扩充宽禁带产品线发布的 750V SiC MOSFET 与 GaN FET 系列，不同型号参数、交付周期、车规认证进度存在差异；器件实际使用效果取决于电路拓扑、散热、驱动设计；本文仅资讯解读，不代表器件选型推荐，最终选型请以安世官方 datasheet、样品测试为准。