AI 算力拉动 HBM 与先进 DRAM 需求大涨，三星电子、SK 海力士正在争抢 ASML 的 EUV 光刻机交付配额，两家在 EUV 设备采购上的投入都超过 10 万亿韩元，用来落地 1c 制程先进 DRAM 扩产，但是 EUV 设备供给紧张、交付周期拉长，能不能拿到充足 EUV 配额，直接决定两家新产线的投产节奏。SK 海力士已经在今年 3 月官宣 11.95 万亿韩元的 EUV 采购计划，这批设备最晚 2027 年底交付，支撑龙仁 Y1 工厂 1c DRAM 落地；三星同步给平泽 P4、P5 产线下单 EUV 设备，规划 2028 年导入 High NA EUV 制造 DRAM，布局 HBM4 配套的单晶 DRAM 产能。ASML 已经预警 2027 至 2028 年 EUV 供给缺口持续存在，哪怕持续扩产设备产能，依然跟不上存储厂的订单需求，设备交付周期拉长到原来两倍，三星、SK 海力士都在考虑提前锁单、追加订单，资本开支还有继续走高的可能，先进 DRAM 和 HBM 的产能释放节奏，会持续被 EUV 设备的配额约束。
一、两家企业 EUV 采购与 DRAM 扩产基础信息
| 企业 | EUV 采购规模 | 核心配套产线 | 制程目标 | 关键时间节点 |
|---|---|---|---|---|
| SK 海力士 | 11.95 万亿韩元 | 龙仁 Y1 晶圆厂 | 1c DRAM（第六代 10nm 级 DRAM） | 设备交付截止 2027-12-31；Y1 首间无尘室 2027 年 2 月启用 |
| 三星电子 | 10~20 万亿韩元区间 | 平泽 P4、P5 工厂 | 1c DRAM、HBM4 配套 DRAM，2028 导入 High NA EUV | P5 一期洁净室 2027 上半年完工，目标 2028 量产 |
二、为什么先进 DRAM 扩产必须争抢 EUV 配额
- 制程升级需求：1c DRAM 的光刻层数提升，EUV 曝光层数从原来 3 层增加到 5 层以上，单条产线需要的 EUV 机台数量明显上涨
- AI 存储需求拉动：先进 DRAM 是 HBM 的底层晶圆基础，HBM、服务器 DDR5 需求持续走高，倒逼两家扩产先进制程
- ASML 产能瓶颈：ASML 的 EUV 产能扩张速度有限，2027、2028 年持续紧缺，交付排期按订单锁定顺序分配，配额先到先得
- 交付周期拉长：EUV 设备交付周期翻倍，晚下单就会直接拖慢新工厂爬坡、新品量产节奏
三、扩产推进步骤
- 锁定配额：向 ASML 提前下单，敲定 EUV 设备交付排期，锁定未来 2 年的配额
- 厂区基建与洁净室施工：同步建设龙仁、平泽的晶圆厂房，完成洁净车间配套
- 设备分批进场调试：按 ASML 交付计划，EUV 设备分批到货、装机、联动调试
- 工艺验证与试产：导入 1c DRAM 光刻工艺，反复调试良率，完成客户样品验证
- 产能爬坡量产：逐步拉满产线，产出先进 DRAM 晶圆，供给 HBM 和服务器内存
四、行业影响和风险点
- 利好方向
- 先进 DRAM 供给逐步增加，缓解 AI 算力产业链 HBM 底层晶圆紧张局面
- 存储大厂巩固在高端 DRAM、HBM 赛道的技术和产能优势
- 风险约束
- EUV 配额争夺激烈，如果拿不到足够设备，扩产计划会延期
- 巨额资本开支会压缩利润，如果后续存储价格回落，投资回报承压
- 1c 制程良率爬坡难度高，就算设备到位，产能释放速度也存在不确定性
- 美光作为第三家 DRAM 厂商，同样需要 EUV 设备，会进一步分流 ASML 供给
【常见问题】
问题 1：三星与 SK 海力士争抢 EUV 配额，投入资金主要用来扩产什么 DRAM？
回答 1：三星与 SK 海力士争抢 EUV 配额，超 10 万亿韩元的 EUV 采购资金主要用于扩产 1c 先进制程 DRAM，这类晶圆也是 HBM 存储芯片的底层基础晶圆。
问题 2：SK 海力士为争抢 EUV 配额的采购计划是什么时候公布、什么时候交付？
回答 2：SK 海力士为争抢 EUV 配额的 11.95 万亿韩元 EUV 采购计划在今年 3 月披露，这批设备交付截止时间为 2027 年 12 月 31 日，支撑龙仁 Y1 工厂 1c DRAM 投产。
问题 3：三星争抢 EUV 配额之后，计划什么时候把 High NA EUV 用到 DRAM 量产？
回答 3：三星争抢 EUV 配额，规划在 2028 年将 High NA EUV 光刻技术导入 DRAM 量产，用于平泽 P5 工厂先进 DRAM、HBM4 配套晶圆制造。
问题 4：三星、SK 海力士争抢 EUV 配额的核心原因是什么？
回答 4：三星、SK 海力士争抢 EUV 配额，是因为 1c 先进 DRAM 制程需要更多 EUV 光刻层数，叠加 AI 带动 HBM 需求爆发，而 ASML 的 EUV 设备供给不足、交付周期拉长，配额决定扩产进度。
【参考资料】
[2026-11-10]（砸下超 10 万亿韩元，三星、SK 海力士大手笔采购 ASML EUV 光刻机）环球网
[2026-11-10]（光刻大战开打！三星等重金争夺 EUV 产能 加码先进 DRAM 扩产）集微网
[2026-11-09]（三星 SK 海力士争抢 EUV 配额 各投超 10 万亿韩元扩产 DRAM）ZAKER 新闻
[2026-11-09]（三星、SK 海力士争抢 EUV 交付配额 加码先进 DRAM 扩产）新浪财经
[2026-09-08]（Samsung Electronics and ASML Expand Strategic Collaboration for Next-Generation Semiconductor Manufacturing）三星全球新闻中心
【免责声明】
本文仅为半导体存储行业资讯整理，不构成投资、供应链采购建议；三星、SK 海力士争抢 EUV 配额对应的订单规模、设备交付时间、DRAM 投产节点受 ASML 产能、良率验证、资本开支调整影响存在变动；最终产能释放、HBM 与 DRAM 出货情况请以三星、SK 海力士、ASML 官方公告为准。